[实用新型]一种高出光率深紫外LED

说明书

本实用新型公开了一种高出光率深紫外LED，包括基板、围坝、透光窗口和深紫外LED芯片，所述围坝设于基板上，所述围坝上开设有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒装设于深紫外LED芯片放置腔内，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面设于基板上，所述透光窗口覆盖设于围坝上，所述深紫外LED芯片放置腔内壁为抛光内壁，所述深紫外LED芯片放置腔内壁上镀设有紫外高反射介质膜。本实用新型涉及LED光源技术领域，具体是提供了一种通过光学抛光配合真空镀膜技术，将侧向发出的紫外线能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。

技术领域

本实用新型涉及LED光源技术领域，具体是指一种高出光率深紫外LED。

背景技术

深紫外线是一种波长比较短的紫外线，杀灭细菌和病毒的效率比较高。深紫外线的应用很广泛，其中包括：饮用水、空气、饮料、药品包装的消毒；手术器械消毒及无菌状态保持；在冰箱内，杀灭存活的霉菌孢子，更加延长食物保存期。除消毒作用外，深紫外线还能够进行光化学催化、油墨固化等等。

现有技术中，深紫外LED大都是采用芯片倒装的方式，仅有60％的紫外线能量从正面发出，另外40％的紫外线能量从侧面发出，深紫外LED的支架大部分选用陶瓷基板加金属围坝的结构，金属围坝无法反射深紫外LED芯片侧面发出的紫外线能量，导致从侧面发出的紫外线能量浪费。

实用新型内容

针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本实用新型提供了一种将侧面发出的紫外线能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。

本实用新型采取的技术方案如下：本实用新型一种高出光率深紫外LED，包括基板、围坝、透光窗口和深紫外LED芯片，所述围坝设于基板上，所述围坝上开设有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒装设于深紫外LED芯片放置腔内，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面设于基板上，所述透光窗口覆盖设于围坝上，所述深紫外LED芯片放置腔内壁为抛光内壁，所述深紫外LED芯片放置腔内壁上镀设有紫外高反射介质膜，紫外高反射介质膜通过真空镀膜技术完成，紫外高反射介质膜对发射至深紫外LED芯片放置腔内壁上的紫外光进行反射，与深紫外LED芯片通过深紫外LED芯片放置腔正上方开口发出的紫外光汇聚。

进一步地，所述深紫外LED芯片放置腔呈碗状结构设置，深紫外LED芯片放置腔内侧的圆弧形可以使侧面发射的紫外光更便于反射。

作为优选地，所述基板为陶瓷基板。

作为优选地，所述围坝为石英围坝。

作为优选地，所述透光窗口为石英透光窗口。

采用上述结构本实用新型取得的有益效果如下：本方案一种高出光率深紫外LED通过将深紫外LED芯片放置腔设置为碗状结构，同时对深紫外LED芯片放置腔内侧壁进行光学抛光处理，并在抛光的深紫外LED芯片放置腔内侧壁真空镀设紫外高反射介质膜，通过光学抛光配合真空镀膜技术，实现了深紫外LED芯片侧面紫外光能量的高度集中反射，与深紫外LED芯片正上方的紫外光能量汇聚，提高了LED出光效率。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为本实用新型一种高出光率深紫外LED的现有技术的工作状态示意图；

图2为本实用新型一种高出光率深紫外LED的结构示意图；

图3为本实用新型一种高出光率深紫外LED的工作状态示意图。

其中，1、基板，2、围坝，3、透光窗口，4、深紫外LED芯片，5、深紫外LED芯片放置腔，6、紫外高反射介质膜。

具体实施方式