[实用新型]一种用于碳化硅晶片退火的装置有效

专利信息
申请号: 202022301952.0 申请日: 2020-10-15
公开(公告)号: CN214032757U 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 陈秀芳;张木青;徐现刚;王垚浩 申请(专利权)人: 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02;C30B29/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511458 广东省广州市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 碳化硅 晶片 退火 装置
【权利要求书】:

1.一种用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,包括坩埚体、与所述坩埚体活动连接的坩埚盖,其中:

所述坩埚体内设有一层或多层用于放置碳化硅晶片的夹层板,各所述夹层板沿所述坩埚体的轴向方向排布,相邻的所述夹层板之间具有间距;

所述夹层板上开设有通孔。

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,所述坩埚体的内壁上设置有用于支撑所述夹层板的凸台,所述夹层板活动放置在所述凸台上;

所述夹层板的外径小于所述坩埚体的内径。

3.根据权利要求2所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,各所述凸台由多个独立的子凸台组成。

4.根据权利要求3所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,沿所述坩埚体的底部至顶部方向,各所述夹层板的外径依次增大;

所述坩埚体的内壁上设置有突出于所述内壁的定位部件,各所述定位部件分别位于所述夹层板与所述坩埚体的内壁所形成的缝隙处,所述定位部件与所述夹层板的间距小于预设值。

5.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,沿所述坩埚体的轴向方向,所述坩埚体分为至少两个子坩埚体,相邻的所述子坩埚体活动连接;

各所述子坩埚体内设有一层所述夹层板,所述夹层板与所述子坩埚体的内壁固定连接。

6.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,所述坩埚体的内径为所述碳化硅晶片直径的1.2~1.5倍。

7.根据权利要求2所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,所述夹层板的外径比所述坩埚体的内径小2~20mm。

8.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,所述夹层板为氧化铝夹层板或氧化锆夹层板;

所述坩埚体为氧化铝坩埚体或氧化锆坩埚体。

9.根据权利要求8所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,所述夹层板的厚度为5~10mm。

10.根据权利要求1所述的用于碳化硅晶片退火的装置,其特征在于,相邻所述夹层板之间的间距为15~20mm。

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