[实用新型]新型高抗动态闩锁能力的功率器件

权利要求书

1.一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，包括多个元胞结构，每个所述元胞结构包括衬底，所述衬底顶部设有沟槽、第一阱区和第二阱区，所述沟槽内设有沟槽栅，所述第一阱区和所述第二阱区分别设于所述沟槽两侧，所述第一阱区和所述第二阱区顶部分别设有第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区分别设于所述沟槽两侧，所述第一源区、所述第二源区和所述沟槽栅顶部设有金属层，其中，

所述第一源区与所述第一阱区之间设有第一绝缘层，所述第二源区与所述第二阱区之间设有第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，所述第一绝缘层设置于所述第一源区与所述第一阱区之间的非沟道区域，所述第二绝缘层设置于所述第二源区与所述第二阱区之间的非沟道区域。

3.根据权利要求2所述的新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。

4.根据权利要求3所述的新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，所述衬底为N型衬底。

5.根据权利要求4所述的新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，所述阱区为P型阱区。

6.根据权利要求5所述的新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，所述沟槽栅为多晶硅栅。