[实用新型]单晶硅检测样片混酸抛光清洗装置

说明书

一种单晶硅检测样片混酸抛光清洗装置，包括混酸槽、酸液恒温部件、隔膜泵，酸液恒温部件包括酸液热交换组件、恒温组件，酸液热交换组件包括箱体，箱体内的顶部设有上部缓冲箱、箱体内的底部设置下部缓冲箱，箱体的内部设有恒温介质输送管，恒温介质输送管分别与下部缓冲箱、下部缓冲箱的内部连通，恒温组件分别与上部缓冲箱、下部缓冲箱的内部连通；本实用新型通过恒温组件可将温度一定的介质输送至恒温介质输送管，利用恒温介质与箱体内的混酸进行热交换，使混酸的温度处于恒定，通过隔膜泵的循环作用，使混酸槽内的混酸不断在混酸槽内进行循环，保证反应槽中的酸液反应温度，使混酸槽内混酸温度波动变小，从而保证单晶硅样片检测的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅生产辅助设备技术领域，尤其涉及一种单晶硅检测样片混酸抛光清洗装置。

背景技术

单晶硅样片的检测对样片的表面状态有着一定的要求。混酸反应是检测样片处理的必要前处理步骤，能够去除表面的金属污染及加工过程中造成的损伤层，为样片检测提供良好的表面状态。

但是，混酸抛光清洗过程中存在的最大的问题是反应温度无法控制。混酸对硅片有抛光清洗效果是因为混酸能够与硅片表面发生反应，不断剥离硅片表面，从而达到去除损伤层及表面污染的效果。化学反应过程中，放出大量反应热量，使混酸温度升高，且耐腐蚀容器的导热性差，温度反应迟钝，酸液温度升高后难以冷却，高温酸液会加速反应剥离速度，如此形成不可控的恶性循环。虽然样片状态能够通过混酸抛光达到，但是其抛光过程的剥离量，因为剥离速度不可控，导致剥离量存在较大波动，对检测的稳定性造成了较大的影响。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种单晶硅检测样片混酸抛光清洗装置。

一种单晶硅检测样片混酸抛光清洗装置，包括混酸槽、酸液恒温部件、隔膜泵，所述混酸槽的出口端通过管道与隔膜泵的入口端连通，所述隔膜泵的出口端通过管道与酸液恒温部件的入口端连通，所述酸液恒温部件的出口端通过管道与混酸槽的入口端连通，所述酸液恒温部件包括酸液热交换组件、恒温组件，所述酸液热交换组件包括箱体，所述箱体内的顶部固定设置有上部缓冲箱、箱体内的底部固定设置下部缓冲箱，所述箱体的内部设置有恒温介质输送管，所述恒温介质输送管的入口端与下部缓冲箱的内部连通，恒温介质输送管的出口端与上部缓冲箱的内部连通，所述恒温组件的入口端通过管道与上部缓冲箱的内部连通，恒温组件的出口端通过管道与下部缓冲箱的内部连通。

优选的，所述箱体的外部固定设置有酸液输入管、酸液输出管，所述酸液输入管、酸液输出管均与箱体的内部连通。

优选的，所述酸液输入管位于箱体的上部，酸液输入管与隔膜泵的出口端通过管道连通，所述酸液输出管位于箱体的下部，酸液输出管与混酸槽的入口端通过管道连通。

优选的，所述恒温介质输送管呈S形。

优选的，所述恒温介质输送管沿箱体内部等距设置。

优选的，所述混酸槽内设置有温度检测器。

优选的，所述箱体的内部设置有温度检测器。