[实用新型]保护电路、上桥驱动芯片、驱动芯片及智能功率模块

权利要求书

1.一种保护电路，应用于上桥驱动电路中，其特征在于，所述上桥驱动电路包括自举模块与上桥驱动模块，所述自举模块与所述上桥驱动模块集成于同一芯片中；所述保护电路包括一二极管，所述二极管一端连接所述自举模块的输入端，所述二极管另一端连接所述上桥驱动模块的输出反馈端。

2.一种保护电路，应用于上桥驱动电路中，其特征在于，所述上桥驱动电路包括自举模块与上桥驱动模块，所述自举模块与所述上桥驱动模块集成于同一芯片中，所述自举模块与所述上桥驱动模块连接；所述保护电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管，所述自举模块包括第一输入端、第二输入端、第三输入端，所述上桥驱动模块还包括第一输出反馈端、第二输出反馈端与第三输出反馈端，所述第一二极管一端连接所述第一输入端，另一端连接所述第一输出反馈端；所述第二二极管一端连接所述第二输入端，另一端连接所述第二输出反馈端；所述第三二极管一端连接所述第三输入端，另一端连接所述第三输出反馈端。

3.如权利要求1或2所述的保护电路，其特征在于，所述保护电路、所述自举模块与所述上桥驱动模块集成于同一芯片中；或所述保护电路独立于集成自举模块与所述上桥驱动模块的芯片结构之外。

4.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述第一二极管、第二二极管与第三二极管的负极分别连接第一输入端、第二输入端与第三输入端；所述第一二极管、第二二极管与第三二极管的正极分别连接第一输出反馈端、第二输出反馈端与第三输出反馈端。

5.如权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述上桥驱动模块的第一输出反馈端、第二输出反馈端、第三输出反馈端为正相输出反馈端；所述上桥驱动模块还包括第四输出反馈端、第五输出反馈端与第六输出反馈端，所述第四输出反馈端、第五输出反馈端与第六输出反馈端为反相输出反馈端，且所述第一输出反馈端与第四输出反馈端、第二输出反馈端与第五输出反馈端、第三输出反馈端与第六输出反馈端短接。

6.如权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述第一二极管、第二二极管与第三二极管均为瞬态二极管。

7.如权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述瞬态二极管的击穿电压为24V，最大反向电压耐压值为15000V。

8.一种上桥驱动芯片，其特征在于，所述上桥驱动芯片包括如权利要求1～7任一所述的一种保护电路与上桥驱动电路。

9.一种包含上桥驱动功能的驱动芯片，其特征在于，包括如权利要求1～7任一所述的一种保护电路与一种包含上桥驱动电路的驱动芯片。

10.一种智能功率模块，其特征在于，包括如权利要求8所述的一种上桥驱动芯片或者包括如权利要求9所述的一种包含上桥驱动功能的驱动芯片。