[实用新型]一种高亮度LED芯片

权利要求书

1.一种高亮度LED芯片，包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极结构，其特征在于，所述电极结构包括电流扩展条、焊盘和连接层，所述电流扩展条和焊盘设于外延层上，所述连接层设于电流扩展条连接段上并与焊盘连接，所述焊盘和连接层的结构相同并同时形成；

所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层，其中，所述底层由ITO制成，所述反射层由Ag制成，所述第一保护层由TiW制成，所述第二保护层由Pt制成，所述打线层由Au制成。

2.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述底层的厚度为15～300nm，所述反射层的厚度为100～300nm，所述第一保护层的厚度为150～300nm，所述第二保护层的厚度为50～100nm，所述打线层的厚度为300～3000nm。

3.如权利要求2所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述底层的厚度为50～200nm，所述反射层的厚度为150～250nm，所述第一保护层的厚度为150～250nm，所述第二保护层的厚度为50～80nm，所述打线层的厚度为500～1000nm。

4.如权利要求1～3任一项所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述电流扩展条的宽度小于3μm。

5.如权利要求1～3任一项所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述电流扩展条的反射率为100％。

6.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述电流扩展条连接段的长度为电流扩展条总长度的5％～10％。

7.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述焊盘和连接层均包括Cr层、设于Cr层上的Al层、设于Al层上的Ti层、设于Ti层上的Pt层、以及设于Pt层上的Au层。

8.如权利要求7所述的高亮度LED芯片，其特征在于，Cr层的厚度为Al层的厚度为Ti层的厚度为Pt层的厚度为Au层的厚度为

9.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述外延层包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的透明导电层，所述电流扩展条的底层设于透明导电层上，两者的材料一致。