[实用新型]一种用于采样器件压降的补偿电路有效
申请号: | 202022332125.8 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN213689750U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 罗航 | 申请(专利权)人: | 罗航 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R1/30;G05F1/56 |
代理公司: | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人: | 苗广冬 |
地址: | 652100 云南省昆明市宜良县匡*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 采样 器件 补偿 电路 | ||
1.一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于,包括:采样放大电路(1)、稳压电路(2)和测试接口(3);
所述采样放大电路(1),用于采集输入电流信号并生成用于测试的电压信号;
所述稳压电路(2),主要用于补偿输出保持所述测试接口(3)处的稳定电压输出;
所述采样放大电路(1)的输出端与所述测试接口(3)电连接,所述稳压电路(2)的输出端连接于所述采样放大电路(1)和所述测试接口(3)之间。
2.如权利要求1所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:所述稳压电路(2)包括第一运算放大器(21)和开关器件(22),所述第一运算放大器(21)的同相输入端与第一电源(23)电连接,所述第一运算放大器(21)的反相输入端与所述测试接口(3)电连接,所述第一运算放大器(21)的输出端与所述开关器件(22)电连接。
3.如权利要求2所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:所述开关器件(22)为NMOS管,所述NMOS管的D极与所述采样放大电路(1)串接,所述NMOS管的G极与所述第一运算放大器(21)的输出端电连接,所述NMOS管的S极与所述测试接口(3)电连接。
4.如权利要求1所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:所述采样放大电路(1)包括采样电路(11)和放大电路(12),所述采样电路(11)用于采集第二电源(4)输入电流信号并生成电压信号发送至放大电路(12);
所述放大电路(12)用于接收所述采样电路(11)的电压信号并进行放大输出;
所述采样电路(11)的输出端与所述放大电路(12)的输入端电连接。
5.如权利要求4所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:所述采样电路(11)包括采样器件(111),所述采样器件(111)的输入端与第二电源(4)电连接,所述采样器件(111)的输出端与所述放大电路(12)电连接。
6.如权利要求5所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:所述放大电路(12)包括第二运算放大器(121),所述采样器件(111)并联于所述第二运算放大器(121)的反相输入端和同相输入端之间。
7.如权利要求6所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:所述采样器件(111)包括二极管,所述二极管的正极与所述第二运算放大器(121)反相输入端电连接,所述二极管的负极与所述第二运算放大器(121)正向相输入端电连接。
8.如权利要求6所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:所述采样器件(111)包括三极管,所述三极管的集电极与所述第二运算放大器(121)反相输入端电连接,所述三极管的集电极与所述三极管的基极电连接,所述三极管的发射极与所述第二运算放大器(121)正向相输入端电连接。
9.如权利要求6所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:还包括PMOS管(122)、输出电阻及输出接口,所述PMOS管(122)的S极与第二电源(4)电连接,所述PMOS管(122)的G极与所述放大电路(12)的输出端电连接,所述PMOS管(122)的D极与所述输出电阻串接后接地,所述输出接口电连接于所述PMOS管(122)和所述输出电阻之间。
10.如权利要求6所述的一种用于采样器件压降的补偿电路,其特征在于:还包括第一电阻和第二电阻,所述第一电阻串联在所述采样器件(111)和所述第二运算放大器(121)的反相输入端之间,所述第二电阻串联在所述采样器件(111)和所述第二运算放大器(121)的同相输入端之间。
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