[实用新型]高浪涌电流型SiC二极管

说明书

本实用新型公开了一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底(1)，SiC衬底(1)表面设有深P‑grid层(2)，深P‑grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。本实用新型通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层，能够替代现有SiC二极管中的Ni‑Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果；同时通过浅P+grid层和深P‑grid层的配合可以使本实用新型在加工时无需增设新的光刻工艺，进而相比现有的SiC二极管能够减少一道光罩数量，具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。

技术领域

本实用新型涉及一种SiC二极管，特别是一种高浪涌电流型SiC二极管。

背景技术

SiC二极管在光伏、汽车等高端领域对正向浪涌电流能力均具有较高的要求。而传统SiC二极管提高正向浪涌电流能力的方法是通过Ohmic光罩在二极管的正面增加一道欧姆接触工艺，进而利用二极管表面形成的Ni-Ohmic层达到提升效果。但由于这种方式需要在现有的制备工艺上增加一道光刻工艺，而目前SiC二极管的主要生产成本便是光刻层数，仅一道光刻层便需要100美金的加工成本，导致这种工艺会极大的增加对SiC二极管的生产周期和生产成本。此外，常规Ni-Ohmic层仅能将SiC二极管的正向浪涌电流提高至正向电流参数的6～8倍，提升效果相对较低。因此，现有的SiC二极管存在生产周期长、生产成本高和正向浪涌电流低的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种高浪涌电流型SiC二极管。它具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。

本实用新型的技术方案：高浪涌电流型SiC二极管，包括SiC衬底，SiC衬底表面设有深P-grid层，深P-grid层外部设有浅P+grid层。

前述的高浪涌电流型SiC二极管中，所述浅P+grid层位于深P-grid层的两侧。

前述的高浪涌电流型SiC二极管中，所述浅P+grid层的深度为0.05～0.3μm，深P-grid层的深度为0.5～1.5μm。

前述的高浪涌电流型SiC二极管中，所述SiC衬底的两端设有JTE区，SiC衬底的外部设有离子注入层。

本现有技术相比，本实用新型通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层，能够替代现有SiC二极管中的Ni-Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果，且浅P+grid层能够将SiC二极管的正向浪涌电流提高至正向电流参数的10～12倍，相比现有带有Ni-Ohmic层的SiC二极管能够提高其正向浪涌电流能力；另一方面，通过浅P+grid层和深P-grid层的结构配合相比Ni-Ohmic层也无需增设光刻工艺，使得本实用新型在制备时能够有效减少一道光罩的使用，缩短了本实用新型的生产周期并降低了本实用新型的生产成本；在上述结构的配合下，本实用新型的SiC二极管仅需一层光罩便能完成对浅P+grid层和深P-grid层的加工，在提高正向浪涌电流能力的同时无需增加光刻次数，具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是现有SiC二极管的结构示意图。

附图中的标记为：1-SiC衬底，2-深P-grid层，3-浅P+grid层，4-JTE区，5-离子注入层，100-深P-grid结构，200-Ni-Ohmic结构，300-JTE结构，400-离子注入结构。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明，但并不作为对本实用新型限制的依据。

实施例。高浪涌电流型SiC二极管，构成如图1所示，包括SiC衬底1，SiC衬底1表面设有深P-grid层2，深P-grid层2外部设有浅P+grid层3。

所述浅P+grid层3位于深P-grid层2的两侧。