[实用新型]一种紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构有效
申请号: | 202022345700.8 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN213789005U | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 周孔礼 | 申请(专利权)人: | 山西华微紫外半导体科技有限公司;周孔礼 |
主分类号: | A61L2/10 | 分类号: | A61L2/10;A61L2/26;H01L25/075;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 | 代理人: | 胡国英 |
地址: | 046021 山西省长治市高新区漳泽工业园*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 半导体 并联 uvc led 无机 封装 结构 | ||
1.一种紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,包括基板、设置于所述基板上的至少两个UVC芯片,所述基板包括设置有UVC芯片的上表面和与所述上表面相对的下表面,所述上表面设置有与所述UVC芯片对应的焊盘对,每个所述UVC芯片设置于一对所述焊盘对之间并与其电性连接,所述UVC芯片之间相互并联。
2.根据权利要求1所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,所述UVC芯片数为两个,所述焊盘对由焊盘正极和与所述焊盘正极间隔设置的焊盘负极组成,所述焊盘对包括第一焊盘对、与所述第一焊盘对间隔设置的第二焊盘对,所述焊盘正极和所述焊盘负极之间形成的间隔与所述第一焊盘对和所述第二焊盘对之间形成的间隔相等。
3.根据权利要求2所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,两对所述焊盘对形成间隔设置的四等分圆,两个所述UVC芯片相对称设置且位于一对所述焊盘对的中间位置。
4.根据权利要求1所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,所述下表面设置有与所述焊盘对相对应的电极对,所述基板贯穿设有连通所述焊盘对与所述电极对的导电部。
5.根据权利要求1所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,所述UVC芯片为倒装UVC芯片或垂直UVC芯片。
6.根据权利要求1所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,还包括固定于所述基板上且围绕所述UVC芯片的金属框、设置于所述金属框远离所述基板一侧的玻璃件,所述玻璃件靠近所述基板一侧设置有金属层,所述金属层与所述金属框之间通过焊接层焊接。
7.根据权利要求6所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,所述金属层为Ag层或多金属合金,所述焊接层为锡膏合金。
8.根据权利要求6或7所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,所述金属层的厚度为5μm~500μm,所述焊接层的厚度为5μm~500μm。
9.根据权利要求3所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,所述焊盘对的焊盘正极或焊盘负极上设有缺口标记或图形标记。
10.根据权利要求1所述的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构,其特征在于,还包括设置于所述基板且与所述UVC芯片数量对应的齐纳二极管,每个所述齐纳二极管分别与一个所述UVC芯片并联。
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