[实用新型]电子组件有效
申请号: | 202022347463.9 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN214125599U | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 孔志雄;徐政柱;禹成宇 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/09;H05K1/18;H05K7/14;H05K9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 潘军 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 组件 | ||
1.一种电子组件,其特征是:所述电子组件包括:
板;
多个半导体集成电路,所述多个半导体集成电路彼此在空间上间隔开并且安装在所述板上;
纳米晶软磁性膜,所述纳米晶软磁性膜被配置为屏蔽所述集成电路;和
第一金属边缘表面,所述第一金属边缘表面被配置为连接所述纳米晶软磁性膜的主顶表面和所述电子组件的主底表面,并且是基本上平面的,
其中所述第一金属边缘表面包括
第一规则图案,所述第一规则图案包括彼此基本上平行的第一特征。
2.一种电子组件,其特征是:所述电子组件包括:
板;
安装在所述板上的至少一个半导体集成电路;
纳米晶软磁性膜,所述纳米晶软磁性膜被配置为屏蔽所述至少一个集成电路;和
第一金属边缘表面和第二金属边缘表面,所述第一金属边缘表面和所述第二金属边缘表面被配置为分别连接所述纳米晶软磁性膜的主顶表面和所述电子组件的主底表面,并且是基本上平面的,
其中所述第一金属边缘表面和所述第二金属边缘表面中的每一个包括第一图案和第二图案中的任一个,
其中所述第一图案具有含有第一峰的第一傅立叶转换,并且所述第二图案具有含有第二峰的第二傅立叶转换。
3.一种电子组件,其特征是:所述电子组件包括:
板,所述板包括具有导电性的多条迹线;
多个半导体集成电路,所述多个半导体集成电路彼此在空间上间隔开并且安装在所述板的第一主表面上,并且与所述多条迹线电连接;
第一金属膜,所述第一金属膜设置在所述多个集成电路上;和
磁场屏蔽层,所述磁场屏蔽层设置在所述第一金属膜和所述多个集成电路之间,
其中所述磁场屏蔽层和所述第一金属膜被配置为分别覆盖所述多个集成电路,
其中所述第一金属膜在所述电子组件的边缘之上朝所述板的所述第一主表面延伸以至少部分地覆盖所述多个集成电路,并且物理地接触所述板的所述第一主表面的侧向边缘。
4.一种电子组件,其特征是:所述电子组件包括:
电路板,所述电路板包括设置在其中并且具有导电性的接地层,并且包括具有导电性的迹线;
半导体集成电路,所述半导体集成电路安装在所述电路板上并且与所述迹线电连接;
保护层,所述保护层设置在所述集成电路上并且被配置为基本上覆盖所述集成电路;
第一金属膜,所述第一金属膜设置在所述保护层上并且被配置为基本上覆盖所述集成电路;和
磁场屏蔽膜,所述磁场屏蔽膜设置在所述第一金属膜和所述保护层之间,
其中所述第一金属膜在所述电子组件的边缘之上朝所述电路板的第一主表面延伸,并且物理地接触所述接地层的侧向边缘。
5.一种电子组件,其特征是:所述电子组件包括:
电路板,所述电路板包括具有导电性的迹线;
半导体集成电路,所述半导体集成电路安装在所述电路板上并且与所述迹线电连接;
保护层,所述保护层基本上电绝缘并且设置在所述集成电路上;
第一金属膜,所述第一金属膜设置在所述保护层上;
磁场屏蔽膜,所述磁场屏蔽膜设置在所述第一金属膜和所述保护层之间;和
聚合物层,所述聚合物层从光学方面基本上不透明并且是激光可写的,并且设置在所述第一金属膜和所述磁场屏蔽膜之间,
其中所述保护层、所述第一金属膜、所述磁场屏蔽膜和所述聚合物层在长度和宽度上与所述电路板共同延伸。
6.根据权利要求5所述的电子组件,
其中所述磁场屏蔽膜为
多层膜,所述多层膜包括磁场屏蔽层、第一粘合剂层、和设置在所述第一粘合剂层上的第二金属层、以及设置在所述第二金属层上以将所述第二金属层接合到相邻层的第三粘合剂层。
7.根据权利要求5所述的电子组件,
其中所述磁场屏蔽膜包括
软磁导性铁氧体、磁导性金属、磁导性晶态合金、磁导性纳米晶合金、磁导性无定形合金和磁导性化合物中的至少一者。
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