[实用新型]低频辐射单元和天线有效

专利信息
申请号: 202022351594.4 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN213304351U 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 郑之伦;贾飞飞;王强;刘亮 申请(专利权)人: 京信通信技术(广州)有限公司;京信射频技术(广州)有限公司
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q21/00
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 刘延喜
地址: 510730 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 低频 辐射 单元 天线
【权利要求书】:

1.一种低频辐射单元,包括馈电巴伦和两对极化正交且由馈电巴伦进行馈电的辐射臂,其特征是:所述辐射臂包括阻抗匹配段、去耦段和两段滤波段,所述去耦段设于辐射臂远离馈电巴伦一端并用于减少高频辐射的耦合面积,所述滤波段用于减小高频耦合电流,其中一个所述滤波段的一端与馈电巴伦相连,另一端与阻抗匹配段相连,另一所述滤波段两端分别与阻抗匹配段和去耦段相连。

2.根据权利要求1所述的低频辐射单元,其特征是:所述辐射臂由PCB构成,所述滤波段包括一对分设于所述PCB的基板正反两面的耦合段,所述耦合段包括至少一对垂直于辐射臂长度方向的耦合线以及连接于两条耦合线的端部之间的连接线,所述连接线与耦合线形成开口,位于所述基板正反两面的两个耦合段的开口方向相反。

3.根据权利要求2所述的低频辐射单元,其特征是:所述去耦段沿着辐射臂端部的外周弯折延伸并绕设形成可供高频辐射信号通过的透波区域,且所述去耦段的两端分别与基板正反两面的两个耦合段相连。

4.根据权利要求3所述的低频辐射单元,其特征是:所述基板上设有金属过孔,位于所述基板反面的耦合段通过金属过孔与位于正面的去耦段和阻抗匹配段连接。

5.根据权利要求2所述的低频辐射单元,其特征是:位于所述基板正反两面的两个耦合段上的耦合线于辐射臂上的投影相互重叠。

6.根据权利要求2所述的低频辐射单元,其特征是:所述耦合段包括多对所述耦合线,相邻两个所述耦合线之间连接有所述连接线。

7.一种天线,包括高频阵列和低频阵列,所述高频阵列包括至少一个高频辐射单元,其特征是:所述低频阵列包括至少一个如权利要求1至6所述的低频辐射单元。

8.根据权利要求7所述的天线,其特征是:所述高频阵列于所述低频阵列两侧各设有一列,所述高频辐射单元设置于靠近所述低频辐射单元的辐射臂端部位置处。

9.根据权利要求8所述的天线,其特征是:所述低频辐射单元的四周设有去耦边界,所述去耦边界垂直或平行于所述低频阵列的延伸方向,且所述去耦边界包括多个沿其长度方向交替设置的所述阻抗匹配段和滤波段。

10.根据权利要求7所述的天线,其特征是:所述阻抗匹配段的长度为高频工作中心频率的五分之一至三分之一波长。

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