[实用新型]—种新型忆阻器

说明书

本实用新型公开了—种新型忆阻器，包括下电极、忆阻层和上电极，所述上电极固定在忆阻层的顶部表面，所述下电极固定在忆阻层的底部表面，所述忆阻层包括顶层电极材料、钨氧化物层、氮氧化钛层和底层电极材料，所述顶层电极材料、钨氧化物层、氮氧化钛层和底层电极材料由上至下依次堆叠，所述下电极的底部表面覆盖设置有垫层，所述上电极的顶部表面覆盖设置有保护层；提高器件的初始电阻和低阻态电阻，减小了器件的波动性，大幅度降低了功耗，抑制了器件内部微结构变化，取得提高集成度、降低功耗的效果，结构简单，降低了工艺复杂度，节约了生产成本，垫层与保护层有效为忆阻器提供了保护，有效延长忆阻器的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及—种新型忆阻器。

背景技术

忆阻器是独立于电阻、电容、和电感之外的第四种基本电路元素，忆阻器是一种具有记忆功能的非线性两端无源器件，它用阻值变化反映了器件两端总磁通量φ对流过其中的电荷量q的变化关系dφ=Mdq，φ，q都与时间相关，可反映了器件的历史状态，从而实现记忆功能，目前市面上出现的忆阻器，仍存在各种各样的不足，不能够满足生产生活的需求；

如忆阻器内部结构复杂，存在器件内部微结构变化，造成忆阻器的功耗提升，也为设计生产带来困难，难以满足那些富有前景的应用需求，为此我们提出—种新型忆阻器。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供—种新型忆阻器，提高器件的初始电阻和低阻态电阻，减小了器件的波动性，大幅度降低了功耗，抑制了器件内部微结构变化，取得提高集成度、降低功耗的效果，结构简单，降低了工艺复杂度，节约了生产成本，垫层与保护层有效为忆阻器提供了保护，有效延长忆阻器的使用寿命。

为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：—种新型忆阻器，包括下电极、忆阻层和上电极，所述上电极固定在忆阻层的顶部表面，所述下电极固定在忆阻层的底部表面，所述忆阻层包括顶层电极材料、钨氧化物层、氮氧化钛层和底层电极材料，所述顶层电极材料、钨氧化物层、氮氧化钛层和底层电极材料由上至下依次堆叠，所述下电极的底部表面覆盖设置有垫层，所述上电极的顶部表面覆盖设置有保护层。

优选的，所述钨氧化物层的厚度为～纳米，所述氮氧化钛层的厚度为～纳米。

优选的，所述顶层电极材料的材料为氮化钛、氮钽钛、钛或碲，所述顶层电极材料厚度为～纳米。

优选的，所述底层电极材料的材料为铂、金、镍或重掺杂硅，所述底层电极材料厚度为～纳米。

优选的，所述保护层的厚度为～纳米，所述保护层的外形尺寸与上电极的外形尺寸为一比一。

优选的，所述垫层的厚度为～纳米，所述垫层的外形尺寸与下电极的外形尺寸为一比一。

与现有技术相比，本实用新型能达到的有益效果是：

提高器件的初始电阻和低阻态电阻，减小了器件的波动性，大幅度降低了功耗，抑制了器件内部微结构变化，取得提高集成度、降低功耗的效果，结构简单，降低了工艺复杂度，节约了生产成本，垫层与保护层有效为忆阻器提供了保护，有效延长忆阻器的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型忆阻层示意图。

其中：1、垫层；2、下电极；3、忆阻层；4、上电极；5、保护层；6、顶层电极材料；7、钨氧化物层；8、氮氧化钛层；9、底层电极材料。

具体实施方式