[实用新型]一种腔式光子晶体选择性吸收辐射器

权利要求书

1.一种腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，吸收辐射器为具有进光口的腔体结构，所述进光口的内径小于所述腔体结构的内径。

2.根据权利要求1所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述腔体结构为球形或椭圆形。

3.根据权利要求1或2所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述进光口处设置有筛选太阳光波段的选择性透射膜，所述选择性透射膜由硅层和二氧化硅层交替层叠形成。

4.根据权利要求3所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述硅层的厚度为100-300nm，所述二氧化硅层的厚度为200-800nm，所述选择性透射膜的周期为3。

5.根据权利要求1所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述腔体中心区域设置有均匀分散入射光的光分散装置。

6.根据权利要求5所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述光分散装置为毛玻璃。

7.根据权利要求1所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述腔体结构由基体材料制成，所述基体材料为碳化硅陶瓷材料。

8.根据权利要求1所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述腔体结构内表面沉积有硫酸钡涂层形成的内壁涂层，所述内壁涂层厚度为100-300μm。

9.根据权利要求1所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述腔体结构外表面沉积有钨层和二氧化铪层交替层叠形成的光子晶体层。

10.根据权利要求9所述的腔式光子晶体选择性吸收辐射器，其特征在于，所述钨层厚度为10-30nm，所述二氧化铪层厚度为60-120nm，所述光子晶体层的周期为3。