[实用新型]一种硅基液晶器件

权利要求书

1.一种硅基液晶器件，其特征在于：包括液晶盒和灌入所述液晶盒的液晶层，所述液晶盒包括导电玻璃和衬底，所述导电玻璃和衬底贴合设置，靠近所述导电玻璃设有第一取向层，靠近所述衬底依次设有像素层、反射光栅层及第二取向层，外部通信光垂直入射，依次经过导电玻璃、第一取向层、液晶层，第二取向层、反射光栅层到达像素层反射。

2.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述反射光栅层包括亚波长光栅层,所述亚波长光栅层的折射率为Na。

3.如权利要求2所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述亚波长光栅层为Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一种。

4.如权利要求2或3所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述亚波长光栅层周期尺寸在λ/5-λ之间，λ为入射光波长，所述亚波长光栅层的宽度在100nm-1200nm之间，所述亚波长光栅层的高度在50nm-1200nm之间。

5.如权利要求4所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述反射光栅层包括自上而下设置的第一外围介质层、亚波长光栅层及第二外围介质层，所述第一外围介质层高度为h₂，所述第二外围介质层高度为h₃，其中，h₂和h₃尺寸范围为0nm-5000nm，还包括第三外围介质层，所述第三外围介质层填充于所述亚波长光栅层的空隙区域。

6.如权利要求5所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述第一外围介质层为SiO₂、MgF₂、Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一种，所述第二外围介质层为SiO₂、MgF₂、Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一种，所述第三外围介质层为SiO₂、MgF₂、Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一种，所述第一外围介质层、第二外围介质层及第三外围介质层的折射率均高于所述亚波长光栅层折射率。

7.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述导电玻璃为硼硅ITO导电玻璃，所述硼硅ITO导电玻璃热膨胀系数范围为2.8ppm/℃～6ppm/℃。

8.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述第一取向层为聚酰亚胺或蒸镀无机物，所述第二取向层为聚酰亚胺或蒸镀无机物。

9.如权利要求2所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述亚波长光栅层为光刻或化学抛光中的任意一种光栅。