[实用新型]一种具有Type-C的双向大功率充供电系统有效

专利信息
申请号: 202022388245.X 申请日: 2020-10-24
公开(公告)号: CN213425817U 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 徐世立;徐永亮 申请(专利权)人: 广西世纪创新显示电子有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M3/04;H02H3/00
代理公司: 广东众赢专利代理事务所(普通合伙) 44423 代理人: 樊宝忠
地址: 530007 广西壮族自治区*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 type 双向 大功率 供电系统
【权利要求书】:

1.一种具有Type-C的双向大功率充供电系统,其特征在于,包括:Scaler芯片、DC-DC电路、PMU芯片、SUB切换模块、Type-C接口、PD芯片、连接PMU芯片的适配器,其中,Scaler芯片分别连接PD芯片、Type-C接口、SUB切换模块和DC-DC电路,PD芯片分别连接SUB切换模块、Type-C接口和PMU芯片,Type-C接口分别连接SUB切换模块和PMU芯片,PMU芯片连接DC-DC电路,DC-DC电路输出端与PMU芯片之间连接有第一电流采样电路,PMU芯片输出端与Type-C接口之间连接有第二电流采样电路,PMU芯片连接有充电电流限流电路和供电电流限流电路,DC-DC电路输出端与PMU芯片之间连接有第一升降压控制电路,PMU芯片输出端与Type-C接口之间连接有第二升降压控制电路,PMU芯片输出端与Type-C接口之间连接有外部电压反馈电路。

2.根据权利要求1所述的具有Type-C的双向大功率充供电系统,其特征在于:第一升降压控制电路包括第一NMOS管和第二NMOS管,第二升降压控制电路包括第三NMOS管和第四NMOS管,DC-DC电路输出端均连接第一NMOS管的漏极D5、D6、D7、D8、D9端子,第一NMOS管的源极S1、S2、S3端子连接第二NMOS管的漏极D5、D6、D7、D8、D9端子,第一NMOS管和第二NMOS管的G极都连接PMU芯片,第二NMOS管的源极接地,Type-C接口的TYPEC_VBUS端子均连接第三NMOS管的漏极D5、D6、D7、D8、D9端子,第三NMOS管的源极S1、S2、S3端子连接第四NMOS管的漏极D5、D6、D7、D8、D9端子,第三NMOS管和第四NMOS管的G极都连接PMU芯片,第四NMOS管的源极接地。

3.根据权利要求2所述的具有Type-C的双向大功率充供电系统,其特征在于:还包括续流电路,续流电路包括第一续流电路、第二续流电路、第三续流电路和第四续流电路,第一续流电路包括电阻R260,续流二极管D15和电阻R266,第一NMOS管的G极依次连接电阻R260和电阻R266后连接PMU芯片,电阻R260和续流二极管D15并联,续流二极管D15的负极连接PMU芯片;第二续流电路包括电阻R262,续流二极管D17和电阻R262,第二NMOS管的G极依次连接电阻R262和电阻R265后连接PMU芯片,电阻R262和续流二极管D17并联,续流二极管D17的负极连接PMU芯片;第三续流电路包括电阻R270,续流二极管D20和电阻R271,第三NMOS管的G极依次连接电阻R270和电阻R271后连接PMU芯片,电阻R270和续流二极管D20并联,续流二极管D20的负极连接PMU芯片;第四续流电路包括电阻R269,续流二极管D19和电阻R272,第四NMOS管的G极依次连接电阻R269和电阻R272后连接PMU芯片,电阻R269和续流二极管D19并联,续流二极管D19的负极连接PMU芯片。

4.根据权利要求1所述的具有Type-C的双向大功率充供电系统,其特征在于:PMU芯片输出端与Type-C接口之间连接有外部电压反馈电路,外部电压反馈电路包括电阻R275,电阻R276和电阻R277,PMU芯片输出端依次连接电阻R275,电阻R276后连接Type-C接口,电阻R277的一端连接电阻R275和电阻R276的公共连接点,另一端接地。

5.根据权利要求1所述的具有Type-C的双向大功率充供电系统,其特征在于:PMU芯片连接有环路补偿电路,环路补偿电路包括电阻R278,电容器C248和电容器C249,PMU芯片依次连接电阻R278和电容器C248后接地,电阻R278和电容器C248串联后与电容器C249并联。

6.根据权利要求1所述的具有Type-C的双向大功率充供电系统,其特征在于:充电电流限流电路包括电阻R282与电容器C250,PMU芯片的连接电阻R282后接地,电阻R282与电容器C250并联,供电电流限流电路包括电阻R283与电容器C251,PMU芯片连接电阻R283后接地,电阻R283与电容器C251并联。

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