[实用新型]一种阵列基板、显示面板以及显示装置有效
申请号: | 202022391695.4 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN213878093U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 周纪登 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板以及显示装置,阵列基板包括:衬底、设置在衬底上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层,驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线,阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底一侧的至少一个致密层,致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影。本实用新型提供的阵列基板通过在钝化层靠近衬底的一侧设置致密层并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影,从而防止水汽通过钝化层进入驱动电路层,避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线,进而避免信号线在跨接位置因发生腐蚀导致的短路问题。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
随着TFT LCD的不断发展,人们对像素分辨率的追求越来越高,也越来越要求大尺寸的显示面板,因此诸如75英寸8K、110英寸8K等尺寸的电视产品应运而生,也因此发展出了氧化物技术,该技术中氧化物指IGZO。与传统的a-Si TFT相比,IGZO TFT具有高透明度、高迁移率、可在柔性衬底上低温工艺大面积制备等特点,在高分辨率平板显示器、传感器以及柔性电子器件等方面被广泛应用。
然而由于制作工艺的限制,导致利用IGZO的产品的栅绝缘(GI)层的膜质和钝化(PVX)层的膜质相对a-Si产品比较疏松,防水性能差,在高温高湿环境中容易发生外部水汽穿过封框胶进入到面板内的膜层中,导致驱动电路中的信号线被腐蚀。
实用新型内容
为了解决上述问题至少之一,本申请第一方面提供一种阵列基板,包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层和覆盖驱动电路层的钝化层,驱动电路层包括氧化物薄膜晶体管和多条信号线,阵列基板还包括设置在钝化层靠近衬底一侧的至少一个致密层,致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影。
在一些可选的实施例中,驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层,至少一个致密层包括设置在源漏层远离衬底一侧的第一致密层。
在一些可选的实施例中,第一致密层包括N2O和硅烷,N2O和硅烷的比例为70:1。
在一些可选的实施例中,至少一个致密层还包括设置在栅极绝缘层和源漏层之间的第二致密层。
在一些可选的实施例中,驱动电路层包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层和源漏层,至少一个致密层包括设置在栅极绝缘层和源漏层之间的第二致密层。
在一些可选的实施例中,第二致密层为设置在栅绝缘层上的疏水层。
在一些可选的实施例中,疏水层包括氟离子基团。
在一些可选的实施例中,氧化物薄膜晶体管为顶栅结构或底栅结构。
本申请第二方面提供一种显示面板,包括本申请第一方面所述的氧化物阵列基板。
本申请第三方面提供一种显示装置,包括本申请第二方面所述的显示面板。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型针对目前现有的问题,制定一种阵列基板、显示面板以及显示装置,通过在包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板中设置致密层,并且该致密层位于钝化层靠近衬底的一侧,并使致密层在衬底上的正投影覆盖多条信号线在衬底上的正投影,从而可以防止水汽通过钝化层进入驱动电路层,从而避免水分接触并腐蚀驱动电路层的信号线栅极布线和数据布线,进而避免信号线在跨接位置的信号线因发生腐蚀导致的短路问题,有效提高了显示产品的使用寿命,具有广泛的应用前景。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1为根据现有技术的显示面板的示意性剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的