[实用新型]一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管有效
| 申请号： | 202022397823.6 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN214279984U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 谢海情;蔡稀雅;范志强;刘刚;崔凯月 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 尺度 肖特基势垒 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：包括源、漏电极，栅电极，氧化层以及中间沟道散射区域；其中，源、漏电极为金属相单层MoS2材料，栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅两部分，顶栅和背栅与中间沟道散射区域之间均包含一个氧化层。
2.根据权利要求1所述的SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：所述栅极和沟道长度为5.1 nm、4.1nm和3.1nm。
3.根据权利要求1所述的SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：所述氧化层厚度为0.41 nm。
4.根据权利要求1所述的SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：所述中间沟道散射区域的材料为二维SiC材料。
5.根据权利要求1所述的SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：所述源、漏电极采用二维金属相MoS2材料。
6.根据权利要求5所述的SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其特征在于：所述源、漏电极与衬底二维SiC材料形成肖特基势垒接触。
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