[实用新型]一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 202022398654.8 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN214280003U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 孟锡俊;崔志强;贾晓龙 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 inalgan 晶格 结构 具有 发光二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种InAlGaN超晶格结构，其特征在于，该InAlGaN超晶格结构为多周期循环结构，每一个周期都包括InGaN阱层、位于所述InGaN阱层上的InAlGaN盖层、位于所述InAlGaN盖层上的GaN盖层和位于所述GaN盖层上的n型InAlGaN垒层。
2.根据权利要求1所述的InAlGaN超晶格结构，其特征在于，该InAlGaN超晶格结构为2-20个周期循环结构。
3.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括发光二极管外延结构、正电极和负电极，所述发光二极管外延结构具有如权利要求1-2中任一项所述的InAlGaN超晶格结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司，未经山西中科潞安紫外光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022398654.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发泡机用的分体式发泡头
- 下一篇：一种民族舞蹈道具收纳装置
