[实用新型]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 202022407087.8 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN213278096U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 侯学顺;向东旭;李远;彭涛 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 朱娟 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括常规显示区和功能区;沿第一方向,常规显示区中的第三显示区、第一显示区、第二显示区的长度依次减小;其中,第一显示区与第三显示区中的一者为特定显示区,特定显示区中包括第一半导体图案层且任意一个第一半导体图案层和与之沿第三方向排布且相邻的至少一个第一半导体图案层连接;第二显示区包括第二半导体图案层且任意一个第二半导体图案层和与之沿第四方向排布且相邻的至少一个第二半导体图案层连接;其中,沿第四方向排布且连接的第二半导体图案层和沿第三方向排布且连接的第一半导体图案层连接。本申请的显示面板中,半导体图案层性能的可靠性及均一性提高。
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
【背景技术】
随着消费者需求的增加,全面屏显示逐渐成为主流的显示技术。现有的全面屏显示通常在显示区内设置透光区,透光区所在位置用于设置光学器件,由于透光区未设置在非显示区,则显示屏的边框变窄,进而可以实现全面屏显示。然而由于显示区中透光区的存在,造成了显示面板显示效果恶化的问题。
【申请内容】
有鉴于此,本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置,以解决以上问题。
第一方面,本申请实施例提供一种显示面板,包括常规显示区和功能区;常规显示区包括第一显示区、第二显示区以及第三显示区,并且沿第一方向,第二显示区的长度分别小于第一显示区和第三显示区的长度,且第一显示区的长度小于第三显示区的长度;功能区的子像素密度小于常规显示区的子像素密度,并且第二显示区、功能区及第一显示区沿第一方向依次邻接,第一显示区、第二显示区的至少一者及功能显示区均与第三显示区沿第二方向邻接;第一方向与第二方向交叉;其中:第一显示区与第三显示区中的一者为特定显示区,特定显示区包括多个第一像素电路,第一像素电路包括第一半导体图案层,任意一个第一半导体图案层和与之沿第三方向排布且相邻的至少一个第一半导体图案层连接,第三方向与第一方向之间的夹角为第一夹角α,90°>α≥0°;第二显示区包括多个第二像素电路,第二像素电路包括第二半导体图案层,任意一个第二半导体图案层和与之沿第四方向排布且相邻的至少一个第二半导体图案层连接;第四方向与第一方向之间的夹角为第二夹角β,90°>β≥0°;其中,沿第四方向排布且连接的第二半导体图案层和沿第三方向排布且连接的第一半导体图案层连接。
第二方面,基于同一构思,本申请实施例提供一种显示装置,包括如第一方面提供的显示面板,以及光学器件;光学器件设置在显示装置对应功能区的位置。
本申请实施例提供的显示面板及显示装置中,第二半导体图案层与第一半导体图案层进行在功能区连接,实现了半导体图案层在功能区的连续性,减少了避免静电由功能区流入半导体图案层的风险。同时,成串的第二半导体图案层与成串的第一半导体图案层连接在一起,则第二半导体图案层121上密度较大的静电得以分散。进而可以提高半导体图案层在后续高温制程中性能的可靠性及均一性,实现显示面板及显示装置的显示均一性,提升显示效果。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图;
图3为图1中AA区域的一种局部放大图;
图4为图1中AA区域的另一种局部放大图;
图5为本申请实施例提供的一种像素电路的等效电路图;
图6为本申请中一个子像素区域对应的一种剖面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的