[实用新型]一种用于减小负载电流变化影响的电路有效
| 申请号： | 202022410662.X | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN213043595U | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 郭虎;李建伟;王照新;蔡彩银 | 申请（专利权）人： | 北京炎黄国芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/156 | 分类号： | H02M3/156 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 100096 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减小 负载 电流 变化 影响 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，包括：Sense接线端、第一晶体管、第二晶体管以及VO端；
所述Sense接线端用于连接负载；
所述第一晶体管的基极连接VO端，所述第一晶体管的集电极连接Sense接线端以及第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极连接所述第二晶体管的集电极，所述第二晶体管的发射极连接VO端。
2.根据权利要求1所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，还包括：
电感，所述电感与所述Sense接线端连接。
3.根据权利要求1所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管均采用：
三极管。
4.根据权利要求3所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，
所述第一晶体管采用PNP三极管，所述第二晶体管采用NPN型三极管。
5.根据权利要求1所述的用于减小负载电流变化影响的电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管采用：
场效应管或MOS管。
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