[实用新型]双向功率器件

权利要求书

1.一种双向功率器件，其特征在于，包括：

半导体层；

第一掺杂区，位于所述半导体层中；

第一沟槽区的多个沟槽，位于所述第一掺杂区中，将所述第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；

栅介质层，覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；

屏蔽介质层，覆盖所述第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁；以及

栅极导体，位于所述第一沟槽区的多个沟槽中，并分别与所述栅介质层和所述屏蔽介质层接触，

所述栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，所述控制栅与所述栅介质层接触，所述屏蔽栅与所述屏蔽介质层接触，

其中，所述屏蔽介质层的厚度不一致，至少部分所述屏蔽介质层的厚度大于所述栅介质层的厚度。

2.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，所述第一类子掺杂区与所述第二类子掺杂区中的一个作为源区的情况下，所述第一类子掺杂区与所述第二类子掺杂区中的另一个作为漏区，所述源区与所述漏区可以互换。

3.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，在所述第一沟槽区的多个沟槽中，沿该沟槽的开口向底部的方向，所述屏蔽介质层的厚度逐渐变厚或逐渐变薄。

4.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，所述屏蔽介质层包括依次相连的多个阶梯部，在所述第一沟槽区的多个沟槽中，沿沟槽的开口向底部的方向，所述屏蔽介质层的厚度呈梯度变化。

5.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，所述屏蔽介质层包括依次相连的第一阶梯部、第二阶梯部以及第三阶梯部，在所述第一沟槽区的多个沟槽中，所述第三阶梯部靠近沟槽的开口，

所述第一阶梯部、所述第二阶梯部以及所述第三阶梯部的厚度依次递减。

6.根据权利要求5所述的双向功率器件，其特征在于，所述第一阶梯部的厚度范围包括：所述第二阶梯部的厚度范围包括：所述第三阶梯部的厚度范围包括：

其中，所述栅介质层的厚度小于所述第一阶梯部的厚度。

7.根据权利要求5所述的双向功率器件，其特征在于，所述第一阶梯部的底端到沟槽开口的距离范围包括：0.1～50μm，所述第二阶梯部的底端到沟槽开口的距离范围包括：0～30μm，所述第三阶梯部的底端到沟槽开口的距离范围包括：0～20μm。

8.根据权利要求1所述的双向功率器件，其特征在于，还包括第二沟槽区的沟槽，位于所述半导体层中，并与所述第一掺杂区分隔，

所述栅介质层还覆盖所述第二沟槽区的沟槽的下部侧壁，所述屏蔽介质层还覆盖所述第二沟槽区的沟槽的上部侧壁，所述栅极导体还位于所述第二沟槽区的沟槽中，并分别与所述栅介质层和所述屏蔽介质层接触，

所述第一沟槽区的沟槽与所述第二沟槽区的沟槽连通，位于所述第一沟槽区的沟槽中的栅极导体与位于所述第二沟槽区的沟槽中的栅极导体相连。

9.根据权利要求8所述的双向功率器件，其特征在于，所述第一沟槽区的沟槽与所述第二沟槽区的沟槽的结构相同。

10.根据权利要求1-9任一项所述的双向功率器件，其特征在于，所述第一沟槽区的多个沟槽包括：

第一凹部，位于所述第一掺杂区中；以及

第二凹部，位于所述第一掺杂区与部分所述半导体层中，所述第二凹部位于所述第一凹部下方并与所述第一凹部连通。

11.根据权利要求10所述的双向功率器件，其特征在于，所述第一凹部的深度范围包括0.1～50μm、所述第二凹部底端到所述第一凹部底端的距离范围包括0.1～5μm。

12.根据权利要求10所述的双向功率器件，其特征在于，所述屏蔽介质层位于所述第一凹部的侧壁，所述栅介质层位于所述第二凹部的内表面。