[实用新型]一种多芯片并联的半桥型IGBT模块

权利要求书

1.一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，其特征在于，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述六个绝缘陶瓷衬板分为两两一组，在金属基板上排列成三列；每个绝缘陶瓷衬板的信号铜柱焊接点靠近金属基板边缘一侧，功率端子焊接点靠近金属基板内侧。

3.根据权利要求2所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述信号铜柱焊接点包括位于栅极铜柱焊接铜箔上的栅极焊盘和位于辅助发射极铜柱焊接铜箔上的辅助发射极焊盘，所述栅极焊盘上焊接有栅极铜柱，所述辅助发射极焊盘上焊接有辅助发射极铜柱。

4.根据权利要求2所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述功率端子焊接点包括位于集电极铜箔上的集电极焊盘和位于发射极铜箔上的发射极焊盘，所述集电极焊盘上焊接有集电极功率端子，所述发射极焊盘上焊接有发射极功率端子。

5.根据权利要求1所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述四个IGBT芯片和两个FRD芯片分为两组，每组有1个FRD芯片和2个IGBT芯片，两组芯片按照FDR芯片靠近金属基板内侧、IGBT芯片靠近金属基板外侧的规律分别排列在绝缘陶瓷衬板的左右两侧。

6.根据权利要求5所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，绝缘陶瓷衬板任一侧相邻的两个IGBT芯片的发射极通过发射极互连线连接在一起。

7.根据权利要求1所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，在所述栅极信号铜箔上焊接有栅极驱动电阻，所述栅极驱动电阻通过键合线与栅极铜柱焊接铜箔相连。

8.根据权利要求1所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，IGBT芯片的集电极和FRD芯片的阴极焊接在绝缘陶瓷衬板上的集电极铜箔上；IGBT芯片的集电极通过键合铝线蔟与绝缘陶瓷衬板上的发射极铜箔相连，FRD芯片的阳极通过键合线蔟与绝缘陶瓷衬板上的发射极铜箔相连；绝缘陶瓷衬板上的辅助发射极铜柱焊接铜箔通过键合线连接发射极铜箔。