[实用新型]一种芯片制造真空覆膜装置有效
申请号: | 202022431057.0 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN212991052U | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 曾少亚 | 申请(专利权)人: | 曾少亚 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市天河区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 制造 真空 装置 | ||
本实用新型公开了一种芯片制造真空覆膜装置,包括工作台、压膜框架和抽气腔,所述工作台内部开设有抽气腔,所述抽气腔底部通过螺纹槽连接有三通阀,所述三通阀底部一端通过螺纹槽连接有电磁阀,所述工作台底部一端通过安装架安装有抽气泵,所述工作台顶部开设有预留槽,所述预留槽底部开设有芯片槽,所述芯片槽两侧通过安装槽安装有网板。本实用新型结构简单,操作方便,可以同时对多个芯片进行覆膜,适合被广泛推广和使用。
技术领域
本实用新型涉及覆膜装置技术领域,特别涉及一种芯片制造真空覆膜装置。
背景技术
芯片是将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路,以做出如模拟数字转换器和数字模拟转换器等器件,芯片在生产过程中,需要进覆膜,现有的覆膜装置结构复杂、操作繁琐,为此,我们提出一种芯片制造真空覆膜装置。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种芯片制造真空覆膜装置,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种芯片制造真空覆膜装置,包括工作台、压膜框架和抽气腔,所述工作台内部开设有抽气腔,所述抽气腔底部通过螺纹槽连接有三通阀,所述三通阀底部一端通过螺纹槽连接有电磁阀,所述工作台底部一端通过安装架安装有抽气泵,所述工作台顶部开设有预留槽,所述预留槽底部开设有芯片槽,所述芯片槽两侧通过安装槽安装有网板,所述工作台顶部一端通过螺栓固定有支撑架,所述工作台顶部两侧通过螺栓固定有立柱,所述立柱外侧套设有压膜框架,所述压膜框架顶部套设有顶板,所述顶板底部焊接有矩形切割刀。
进一步地,所述抽气泵的进气端通过管道连接三通阀一端,所述预留槽和抽气腔相连通。
进一步地,所述预留槽和矩形切割刀的数量为多个,所述矩形切割刀贯穿压膜框架。
进一步地,所述压膜框架顶部胶合有橡胶垫,所述压膜框架一端通过螺栓固定有一号把手,所述顶板一端通过螺栓固定有二号把手。
进一步地,所述立柱外侧套设有压缩弹簧,所述压缩弹簧位于压膜框架底部。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
1.通过设置预留槽、压膜框架和矩形切割刀,将卷状薄膜放在支撑架上,将待覆膜的芯片放在芯片槽内,拉出薄膜一端,使薄膜完全盖在多个预留槽上,人员握住一号把手下移压膜框架,将盖在预留槽上的薄膜压紧,打开抽气泵,抽气泵工作将抽气腔内气体抽出,抽气腔通过网板与预留槽内相连通,使预留槽内形成真空,预留槽内形成真空后薄膜紧紧吸附在芯片表面,人员握住二号把手下移顶板,使用其底部的多个矩形切割刀对薄膜进行切割,完成对芯片进行覆膜。
2.通过设置电磁阀和压缩弹簧,切割完成后,人员打开电磁阀,使其外侧空气通过三通阀进入抽气腔内,从抽气腔进入预留槽内,使其切割后的薄膜不会再吸附在预留槽内,松开一号把手和二号把手后,立柱外侧的压缩弹簧推动压膜框架和顶板上移,进行复位。
附图说明
图1为本实用新型一种芯片制造真空覆膜装置的整体结构示意图。
图2为本实用新型一种芯片制造真空覆膜装置的工作台内部结构示意图。
图3为本实用新型一种芯片制造真空覆膜装置的压膜框架结构示意图。
图中:1、工作台;2、压膜框架;3、抽气腔;4、预留槽;5、芯片槽;6、网板;7、顶板;8、矩形切割刀;9、立柱;10、压缩弹簧;11、支撑架;12、橡胶垫;13、三通阀;14、电磁阀;15、抽气泵;16、一号把手;17、二号把手。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曾少亚,未经曾少亚许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022431057.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造