[实用新型]高电子迁移率晶体管器件和半导体器件

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括：

异质结构；

在所述异质结构上的电介质层；以及

栅极电极，完全延伸穿过所述电介质层，

所述栅极电极包括：

第一栅极金属层，被配置为与所述异质结构形成肖特基接触；

第二栅极金属层，在所述第一栅极金属层上；以及

第三栅极金属层，在所述第二栅极金属层上，所述第三栅极金属层是铝层，

其中所述第二栅极金属层形成抵抗铝原子从所述第三栅极金属层朝向所述异质结构扩散的屏障。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述电介质层是氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第一栅极金属层是镍层，并且所述第二栅极金属层是氮化钨层。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述栅极电极还包括帽层，所述帽层在所述第一栅极金属层上并且被配置为保护所述第一栅极金属层不受环境试剂的影响。

5.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述帽层是氮化钛层。

6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述异质结构包括沟道层和在所述沟道层上的势垒层，所述沟道层和所述势垒层包括相应的化合物材料。

7.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，还包括：

源极电极，延伸到所述异质结构中，所述源极电极终止于所述异质结构中；以及

漏极电极，延伸到所述异质结构中，距所述源极电极一定距离，所述漏极电极终止于所述异质结构中，

其中所述栅极电极与所述异质结构直接电接触。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

异质结构；

在所述异质结构上的电介质层；

栅极电极，延伸穿过所述电介质层并且接触所述异质结构，所述栅极电极包括：

第一栅极金属层，覆盖异质结构；以及

保护层，在所述异质结构和所述第一栅极金属层之间，所述保护层被配置为阻止金属原子从所述第一栅极金属层朝向所述异质结构的扩散；以及

源极电极或漏极电极，延伸到所述异质结构中，到比所述栅极电极更大的深度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层被配置为与所述异质结构形成肖特基接触。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包括与所述异质结构直接接触的第二栅极金属层，所述第二栅极金属层在所述异质结构和所述保护层之间延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极金属层是铝层，所述第二栅极金属层是镍层，并且所述保护层是氮化钨层。