[实用新型]适用于直流固态继电器的IGBT触发电路有效

专利信息
申请号: 202022448114.6 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN213661588U 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 郝敏啟;魏明宇 申请(专利权)人: 徐州汉通电子科技有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082;H03K17/567
代理公司: 北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙) 32205 代理人: 周淑淑
地址: 221000 江苏省徐州市徐州经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 适用于 直流 固态 继电器 igbt 触发 电路
【说明书】:

一种适用于直流固态继电器的IGBT触发电路,在现有IGBT触发电路的基础上增加了电阻R3~R5、三极管Q2、二极管D2~D3,变压器T1的输出端口的一端分别连接电阻R4的一端、三极管Q2的集电极、电容C1的一端、二极管D2的正极、电阻R3的一端以及绝缘栅双极型晶体管的发射极,三极管Q2的基极分别连接二极管D1的负极、电阻R4的另一端、二极管D3的正极,二极管D3的负极、三极管Q2的发射极、电容C1的另一端、二极管D2的正极均连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端、电阻R3的另一端连接后与绝缘栅双极型晶体管的栅极连接,改进后的触发电路结构简单,性能稳定,输出脉冲波形好,后续触发电路可靠稳定。

技术领域

本实用新型涉及一种IGBT触发电路,具体是一种适用于直流固态继电器的IGBT触发电路,属于IGBT触发电路技术领域。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

现有的IGBT触发电路包括电阻R1~R2、电容C1~C4、三极管Q1、二极管D1以及变压器T1,电源正极接口端分别连接电阻R1的一端、电容C2的一端、变压器T1的输入端口的一端,三极管Q1的基极分别连接电阻R1的另一端、电容C2的另一端、电容C4的另一端,变压器T1输入端口的另一端分别连接三极管Q1的集电极、电容C3的一端,电源负极接口串联电阻R2后分别连接电容C4的另一端、三极管Q1的发射极、电容C3的另一端,变压器T1的输出端口的一端连接二极管D1的正极,二极管D1的负极连接绝缘栅双极型晶体管的发射极,变压器T1的输出端口的另一端连接绝缘栅双极型晶体管的栅极,电容C1并联在二极管D1的负极与绝缘栅双极型晶体管的栅极之间,其输出脉冲波形不好,导致触发电路不可靠。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题,本实用新型提供一种适用于直流固态继电器的IGBT触发电路,该电路输出脉冲波形好,后续触发电路可靠稳定。

为了实现上述目的,本实用新型提供一种适用于直流固态继电器的IGBT触发电路,包括电阻R1~R2、电容C1~C4、三极管Q1、二极管D1以及变压器T1,电源正极接口端分别连接电阻R1的一端、电容C2的一端、变压器T1的输入端口的一端,三极管Q1的基极分别连接电阻R1的另一端、电容C2的另一端、电容C4的一端,变压器T1输入端口的另一端分别连接三极管Q1的集电极、电容C3的一端,电源负极接口串联电阻R2后分别连接电容C4的另一端、三极管Q1的发射极、电容C3的另一端,还包括电阻R3~R5、三极管Q2、二极管D2~D3,变压器T1的输出端口的一端分别连接电阻R4的一端、三极管Q2的集电极、电容C1的一端、二极管D2的正极、电阻R3的一端以及绝缘栅双极型晶体管的发射极,变压器T1的输出端口的另一端连接二极管D1的正极,三极管Q2的基极分别连接二极管D1的负极、电阻R4的另一端、二极管D3的正极,二极管D3的负极、三极管Q2的发射极、电容C1的另一端、二极管D2的正极均连接电阻R5的一端,电阻R5的另一端、电阻R3的另一端连接后与绝缘栅双极型晶体管的栅极连接。

作为本实用新型的进一步改进,三极管Q1的型号为S8050,三极管Q2为EY贴片三极管。

作为本实用新型的进一步改进,二极管D1的型号为1N4007,二极管D2的型号为1N4742,二极管D3的型号为1N4007。

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