[实用新型]一种基于CKRF3509MM34的射频低噪声放大电路有效

专利信息
申请号: 202022450773.3 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN213585706U 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 冯益;卢飞平;周和平;薛雯 申请(专利权)人: 中国兵器装备集团上海电控研究所
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/56;H03F3/19
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 李明里
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 ckrf3509mm34 射频 噪声 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种基于CKRF3509MM34的射频低噪声放大电路,其特征在于,包括顺序连接的输入阻抗匹配电路、第一滤波器、第一级放大器、第二滤波器、第二级放大器和输出阻抗匹配电路;

所述输入阻抗匹配电路连接在无源天线与第一滤波器之间,用于输入端口的阻抗匹配;

所述第一级放大器和第二级放大器级联形成两级放大器,对无源天线接收的信号进行放大;

第一级滤波器和第二级滤波器,均用于级间匹配和滤波;

所述输出阻抗匹配电路,用于输出端口的阻抗匹配;

所述第一级放大器与第二级放大器均为基于CKRF3509MM34的放大器。

2.根据权利要求1所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,所述两级放大器中的CKRF3509MM34的1、3脚均接地,信号输入脚4脚与前一级电路的输出端连接;信号输出脚2脚输出放大信号在通过偏置匹配电路的电压偏置和阻抗匹配后输出到后一级电路。

3.根据权利要求2所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,两级放大器中CKRF3509MM34的偏置电流均为VDS=3V,IDS=15mA。

4.根据权利要求3所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,所述第一级放大器还包括偏置和匹配电路,所述第一级放大器的偏置和匹配电路包括电阻R1、电容C1、C6、C7、C16、C17和电感L3;

所述电容C1和C17并联在偏置电压与地之间;电感L3连接在偏置电压和第一级放大器的CKRF3509MM34的2脚之间;电容C7间接在2脚与地之间,电容C6连接在所述2脚与第二滤波器之间,电阻R1连接在第一级放大器输出端与地之间。

5.根据权利要求3所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,所述第二级放大器还包括偏置和匹配电路,所述第二级放大器的偏置和匹配电路包括电阻R5、R6、电容C8、C10、C11、C18和电感L9;

所述电容C18连接在偏置电压与地之间;零电阻R6与电容C11串联在偏置电压与地之间,零电阻R6与电容C11的连接点通过电感L9连接第二级放大器的CKRF3509MM34的2脚;电容C8间接在所述2脚与地之间,电容C10连接在所述2脚与所述输出阻抗匹配电路之间,电阻R5连接在第二级放大器输出端与地之间。

6.根据权利要求2所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,所述第一滤波器和第二滤波器结构相同,均包括级联的输入滤波器、声表面滤波器和输出滤波器。

7.根据权利要求6所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,所述输入滤波器和输出滤波器为LC滤波器,所述声表面滤波器为TA0862A。

8.根据权利要求1所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,所述输入阻抗匹配电路为LC电路。

9.根据权利要求1所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,所述输出阻抗匹配电路为π型衰减电路。

10.根据权利要求1所述的射频低噪声放大电路,其特征在于,两级放大器的CKRF3509MM34的供电电压均为3V,通过线性稳压器LP5907-3V将5V直流电压转为3V进行供电。

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