[实用新型]一种显示器件及显示装置有效
申请号: | 202022456187.X | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN212810308U | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 梁志伟;罗雯倩;刘英伟;赵磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 显示装置 | ||
本公开提供一种显示器件及显示装置,该显示器件包括:衬底基板,衬底基板包括相背设置的第一表面和第二表面、及位于第一表面和第二表面之间的侧面;设置于第一表面上的第一线路;设置于第二表面上的第二线路;连接第一线路和第二线路的侧面金属走线,侧面金属走线至少一部分位于侧面;设置于侧面金属走线的靠近衬底基板的一侧的、具有导电性的感光膜,感光膜与侧面金属走线在衬底基板上的正投影图案相同,且侧面金属走线通过感光膜与第一线路、第二线路连接。本公开提供一种显示器件及显示装置,能够改善相关技术中由于磁控溅射工艺形成侧面金属走线造成的成本高、且侧面金属走线厚度受限的问题,能够降低成本,提升侧面金属走线的厚度。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示器件及显示装置。
背景技术
Mini-LED是指尺寸在50~300μm之间的LED,也被称为次毫米发光二极管。Mini-LED在显示上主要有两种应用,一种是作为自发光LED显示,相比于小间距LED,在同样的芯片尺寸上Mini-LED也可以做更小的点间距显示。另外一种是在背光上的应用。相比于传统的背光LED模组,Mini-LED背光模组将采用更加密集的芯片排布来减少混光距离,做到超薄的光源模组。另外配合local dimming(区域调光)控制,Mini-LED将有更好的对比度和HDR显示效果。采用Mini-LED背光的LCD显示屏,在亮度、对比度、色彩还原度和功耗方面远远优于目前的LCD显示器,甚至在对比度、功耗等方面可以与AMOLED竞争,同时还能利用现有LCD产线控制生产成本。如果进一步缩小Mini-LED的尺寸,则将进入Micro-LED领域,Micro-LED的尺寸小于50μm,Micro-LED具有自发光高亮度、高对比度、超高分辨率与色彩饱和度、长寿命、响应速度快、节能、适应环境宽泛等诸多优点。Micro-LED显示技术可以涵盖从AR/VR等微显示、手机电视等中等尺寸显示到影院大屏幕显示领域,被誉为未来终极显示技术。
实用新型内容
本公开提供一种显示器件及显示装置,能够改善相关技术中由于磁控溅射工艺形成侧面金属走线造成的成本高、且侧面金属走线厚度受限的问题,能够降低成本,提升侧面金属走线的厚度。
为了达到上述目的,本公开所采用的技术方案是:
一种显示器件,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括相背设置的第一表面和第二表面、及位于所述第一表面和所述第二表面之间的侧面;
设置于所述第一表面上的第一线路;
设置于所述第二表面上的第二线路;
连接所述第一线路和所述第二线路的侧面金属走线,所述侧面金属走线至少一部分位于所述侧面;
及,设置于所述侧面金属走线的靠近所述衬底基板的一侧的、具有导电性的感光膜,所述侧面金属走线在所述衬底基板上的正投影与所述感光膜在所述衬底基板上的正投影重合,且所述侧面金属走线通过所述感光膜与所述第一线路、所述第二线路连接。
示例性的,所述感光膜包括感光粘附促进膜。
示例性的,所述感光膜为负性感光膜。
示例性的,所述侧面金属走线的厚度取值范围为1~100μm。
示例性的,所述侧面金属走线为电镀金属走线。
示例性的,所述侧面金属走线包括第一部分、第二部分和第三部分,
所述第一部分位于所述第一表面的边缘,并通过所述感光膜与所述第一线路导通;
所述第二部分位于所述侧面;
所述第三部分位于所述第二表面的边缘,并通过所述感光膜与所述第二线路导通。
示例性的,所述第一线路和/或所述第二线路包括多个微电子元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的