[实用新型]一种硅基光电探测器

权利要求书

1.一种硅基光电探测器，其特征在于：为复合层式结构；沿着光入射方向依次包括正面金属薄膜层、无序纳米碗阵列化硅基底、背面金属薄膜层；其中所述的正面金属薄膜层以无序纳米碗阵列化硅基底为基底通过物理法沉积所得；所述正面金属薄膜层与所述无序纳米碗阵列化硅基底形成肖特基、背面金属薄膜层与所述无序纳米碗阵列化硅基底形成欧姆接触；且正面金属薄膜层作为探测器的前导电电极，背面金属薄膜层作为探测器的后导电电极。

2.根据权利要求1所述的一种硅基光电探测器，其特征在于：正面金属薄膜层的厚度为5～50nm。

3.根据权利要求1所述的一种硅基光电探测器，其特征在于：背面金属薄膜层的厚度为50～5000nm。

4.根据权利要求1所述的一种硅基光电探测器，其特征在于：无序纳米碗阵列化硅基底上纳米碗的直径范围为40～300nm，深度为50～500nm。

5.根据权利要求1所述的一种硅基光电探测器，其特征在于：正面金属薄膜层的材质包括：金、铂、银、钛中任意一种。