[实用新型]一种微波功率放大芯片封装结构

权利要求书

1.一种微波功率放大芯片封装结构，其特征在于：包括环框、底板、盖板、内盖板以及引线；其中，所述底板设置于所述环框下部，安装有通过金丝电性连接的元器件；所述盖板设置于所述环框上部，与所述环框、盖板形成封闭空间将所述元器件密封；所述内盖板设置于所述盖板下方，通过支撑件固定于封闭空间内部；所述引线穿设于所述环框侧壁，包括载流馈通引线和射频馈通引线；所述元器件包括射频馈通基片、载流馈通基片、陶瓷微带线、GaAs驱动放大芯片、GaAs功率放大芯片、单层片式瓷介电容器以及多层瓷介电容器；所述载流馈通引线伸入封闭空间的一端与所述载流馈通基片电性连接，所述射频馈通引线伸入封闭空间的一端与所述射频馈通基片电性连接。

2.根据权利要求1所述的微波功率放大芯片封装结构，其特征在于：所述环框、底板以及盖板的材质均为可伐金属。

3.根据权利要求1所述的微波功率放大芯片封装结构，其特征在于：还包括设于所述封闭空间的射频馈通陶瓷绝缘子，所述射频馈通陶瓷绝缘子与环框焊接固定。

4.根据权利要求1所述的微波功率放大芯片封装结构，其特征在于：所述支撑件为螺钉。

5.根据权利要求1所述的微波功率放大芯片封装结构，其特征在于：所述底板的材质为铜、钼铜或铜复合材料中的一种。

6.根据权利要求1所述的微波功率放大芯片封装结构，其特征在于：设置于GaAs驱动放大芯片和GaAs功率放大芯片表面的金属PAD与陶瓷微带线通过金丝电性连接；设置于GaAs驱动放大芯片和GaAs功率放大芯片表面的金属PAD与单层片式瓷介电容器通过金丝电性连接；所述单层片式瓷介电容器和载流馈通基片通过金丝电性连接；所述射频馈通基片和陶瓷微带线通过金丝电性连接。