[实用新型]显示屏、指纹识别装置和电子设备有效
申请号: | 202022470013.9 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN213519978U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 张慧雯;张键洋;杜灿鸿;汪海翔 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人: | 李杰 |
地址: | 518045 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 指纹识别 装置 电子设备 | ||
本申请实施例涉及显示屏、指纹识别装置和电子设备,该显示屏包括:像素阵列层,包括多个像素单元,且所述像素单元之间具有第一间隙;以及遮光阵列层,位于所述像素阵列层的下方,包括多个遮光单元,且所述遮光单元之间具有第二间隙;其中,所述遮光阵列层中的每个遮光单元分别设置在所述像素阵列层中的每个像素单元的下方,所述像素单元在所述遮光阵列层的正投影位于所述遮光单元在所述遮光阵列层的正投影内,所述遮光单元用于遮挡所述像素单元向下射出的光信号,由于漏光被遮光单元遮挡,因而当指纹识别装置设置于显示屏的下方进行指纹识别时,能够提升指纹识别装置的性能。
技术领域
本申请涉及生物识别领域,尤其涉及显示屏、指纹识别装置和电子设备。
背景技术
光学指纹识别芯片能够设置于显示屏的下方,因而能实现高屏占比,得以大规模量产。目前大部分屏下指纹识别的原理是利用显示屏自发光照射手指,经过手指的反射光穿过屏幕后,被显示屏下的指纹识别装置采集与识别。但是由于当前显示屏材质的原因,显示屏的发光像素除了向上方发射光信号,还会有直接向下的漏光,这部分漏光由于不是被手指反射下来的,因而并不携带手指的指纹信息,所以漏光量越大,那么对指纹性能的影响就会越大。因此显示屏的漏光影响指纹性能成为亟待解决的问题。
实用新型内容
本申请提供了一种显示屏、指纹识别装置和电子设备。
第一方面,提供了一种显示屏,包括:像素阵列层,包括多个像素单元,且所述像素单元之间具有第一间隙;以及遮光阵列层,位于所述像素阵列层的下方,包括多个遮光单元,且所述遮光单元之间具有第二间隙;其中,所述遮光阵列层中的每个遮光单元分别设置在所述像素阵列层中的每个像素单元的下方,所述像素单元在所述遮光阵列层的正投影位于所述遮光单元在所述遮光阵列层的正投影内,所述遮光单元用于遮挡所述像素单元向下射出的光信号。
本申请实施例提供的显示屏中设置的遮光阵列层的遮光单元设置在像素阵列层中的像素单元的下方,并且像素单元在遮光阵列层的正投影位于遮光单元在遮光阵列层的正投影内,因此遮光单元能遮挡显示屏的像素单元直接向下射出的光信号(漏光),由于漏光被遮光单元遮挡,因而当指纹识别装置设置于显示屏的下方进行指纹识别时,能够提升指纹识别装置的性能。
结合第一方面,在第一方面的一种实现方式中,所述第一间隙的宽度不小于所述第二间隙的宽度。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的另一种实现方式中,所述像素单元在所述遮光阵列层的正投影与所述遮光单元在所述遮光阵列层的正投影重合。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的另一种实现方式中,所述遮光单元为吸光材料或者反射材料。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的另一种实现方式中,还包括位于所述遮光阵列层下方的基板层,所述基板层的材料包括聚酰亚胺。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的另一种实现方式中,所述像素单元包括发光像素和位于所述发光像素下方的像素电路。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的另一种实现方式中,还包括在所述像素阵列层上方由下至上依次设置的薄膜封装层,偏光层和保护盖板。
第二方面,提供了一种指纹识别装置,用于设置在电子设备的显示屏的下方,所述显示屏包括像素阵列层,所述像素阵列层包括多个像素单元,且所述像素单元之间具有第一间隙;以及遮光阵列层,位于所述像素阵列层的下方,包括多个遮光单元,且所述遮光单元之间具有第二间隙;其中,所述遮光阵列层中的每个遮光单元分别设置在所述像素阵列层中的每个像素单元的下方,所述像素单元在所述遮光阵列层的正投影位于所述遮光单元在所述遮光阵列层的正投影内,所述遮光单元用于遮挡所述像素单元向下射出的光信号;所述指纹识别装置用于接收被按压在所述显示屏上方的手指反射后穿过所述第一间隙和所述第二间隙的指纹光信号,所述指纹光信号用于进行指纹识别。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的