[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个单光子雪崩二极管像素，其中所述单光子雪崩二极管像素中的每个单光子雪崩二极管像素具有有源区域和无源区域；

多个微透镜，其中所述微透镜中的每个微透镜覆盖所述单光子雪崩二极管像素中相应一个单光子雪崩二极管像素的所述有源区域；和

容纳栅格，所述容纳栅格覆盖所述单光子雪崩二极管像素的所述无源区域，其中所述容纳栅格的部分插置在所述多个微透镜中的相邻微透镜之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述容纳栅格的所述部分各自在所述微透镜之间具有锥形形状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述容纳栅格的所述部分各自在所述微透镜之间具有平整侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述容纳栅格包括具有第一折射率的容纳栅格材料，所述微透镜包括具有第二折射率的微透镜材料，并且所述第二折射率高于所述第一折射率。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述容纳栅格包括选自以下项的材料：金属材料、金属氧化物材料、硅材料和黑色材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述容纳栅格部分中的每个容纳栅格部分具有顶表面，所述半导体器件还包括相对于所述顶表面中的至少一些顶表面上的所述微透镜材料为疏性的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述容纳栅格包括相对于所述微透镜材料为疏性的材料，所述半导体器件还包括：

插置在所述容纳栅格部分中的至少一些容纳栅格部分与所述微透镜之间的相对于所述微透镜材料为亲性的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述微透镜中的每个微透镜具有第一高度，所述容纳栅格具有第二高度，并且所述第一高度为所述第二高度的至少十倍。

9.一种半导体器件，包括：

单光子雪崩二极管像素，所述单光子雪崩二极管像素具有有源区域和无源区域；

容纳栅格，所述容纳栅格具有覆盖所述无源区域的部分，其中所述容纳栅格具有与所述有源区域重叠的开口；和

微透镜，所述微透镜位于所述容纳栅格的与所述有源区域重叠的所述开口中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述单光子雪崩二极管像素是单光子雪崩二极管像素阵列中的像素，并且其中所述容纳栅格包括被构造为吸收杂散光并防止所述像素阵列中的相邻像素之间的串扰的容纳栅格材料。