[实用新型]晶圆分割装置有效
申请号: | 202022478645.X | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN213614839U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 纳谷刚志;高泽正和 | 申请(专利权)人: | 中村留精密工业株式会社 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/70 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 沈丹阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分割 装置 | ||
目的在于提供一种结构简单、生产率高的晶圆分割装置,用于从铸锭分割和制造晶圆。晶圆分割装置的特征在于,通过一边使激光从铸锭的端面聚光到铸锭内部的规定深度,一边使所述激光沿所述铸锭的端面相对移动,从而在所述铸锭与晶圆之间形成了分割层,所述晶圆分割装置具有所述铸锭的固定单元以及晶圆侧的拉伸部,所述拉伸部与用于对所述分割层施加分割载荷的分割驱动部连结,所述分割驱动部对在所述分割层所形成的分割面,以一个端部为支点在另一个端部产生打开方向的力矩。
技术领域
本实用新型涉及用于从铸锭上切片分割基板状的晶圆的分割装置。
背景技术
Si晶圆、SiC晶圆、GaN晶圆等由具有可劈性、具有单一晶体取向的单晶体或外延晶体的半导体材料组成的晶圆,以往通过线锯等从圆柱状的铸锭切断成薄的圆盘状,但不仅其切割的量会成为材料损失的量,还会增加由线锯的接触加工引起的变形、加工损伤。
另外,如果是SiC那样硬度较大的半导体材料,则切断本身会变得困难。
因此,例如,在专利文献1中公开了如下方法:从基板表面(铸锭端面)照射激光,一边使激光聚光于基板内部,一边使基板与该激光聚光单元相对移动而形成改性层,从而对晶圆进行切片。
但是,该公报所公开的切片方法中,必须在铸锭的侧壁上露出改性层,并且在该部分形成槽,并在该槽中压入楔状压入材料,因此装置及工序复杂,工作量也大。
另外,例如在专利文献2中公开了如下技术:通过使激光光线一边从SiC铸锭的端面入射并聚光于内部,一边与SiC铸锭相对地移动,从而形成碳和硅混合存在的层并从铸锭分割晶圆,但是,必须通过加热铸锭的上端部的一部分而使该部分产生翘曲,工序仍然复杂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5509448号公报
专利文献2:日本特开第2015-223589号公报
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、生产率高的晶圆分割装置,用于从铸锭分割和制造晶圆。
本实用新型所涉及的晶圆分割装置的特征在于,通过一边使激光从铸锭的端面聚光到铸锭内部的规定深度,一边使所述激光沿所述铸锭的端面相对移动,从而在所述铸锭与晶圆之间形成了分割层,所述晶圆分割装置具有所述铸锭的固定单元以及晶圆侧的拉伸部,所述拉伸部与用于对所述分割层施加分割载荷的分割驱动部连结,所述分割驱动部对在所述分割层所形成的分割面,以一个端部为支点在另一个端部产生打开方向的力矩。
这样,当对分割面在铸锭与晶圆之间产生相互的力矩时,利用以分割面的一个端部为支点向另一个端部施加的打开方向的力,沿着分割层依次进行切片以使裂缝传播,因此分割面易于变得均匀,与以往相比,能够以较小的分割力完成。
对施加分割载荷的方法没有限制,只要在分割面产生力矩即可。
例如,也可以是下述方式:所述分割驱动部相对于所述拉伸部的拉伸方向偏移配置;所述铸锭的固定单元支承于固定保持件,所述固定单元相对于所述固定保持件偏移配置,这种情况下,分割驱动部侧和固定单元侧双方都可偏移配置。
这里,对于形成用于从铸锭分割切片由薄基板构成的晶圆的上述分割层的方法,能够使用使激光一边聚光于铸锭的内部,一边相对移动的公知的方法。
在本实用新型中,从铸锭分割晶圆时,不仅对分割面负载分割载荷,而且使力矩作用,因此使得从分割面的一方依次剥离,从而能够以简单的结构在短时间内分割和制造晶圆。
特别是在相对于铸锭的固定单元偏移配置分割驱动部的结构的情况下,装置的结构变得简单,连续生产也变得容易。
附图说明
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