[实用新型]一种DFN1110-6双芯片高密度框架

说明书

本实用新型涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110‑6双芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，相邻芯片安装单元之间设有横向连筋；所述横向连筋包括凹陷部和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部的厚度，所述加强部的一端连接其中一个芯片安装单元中的一个管脚，所述加强部的另一端连接另一个芯片安装单元中的一个管脚。通过加强部连接相邻的两个芯片安装单元，提升了相邻芯片封装单元之间的连接强度，能够芯片封装单元布置区域的面积，满足大面具排布的要求。进而提升整个框架中芯片封装单元的密度。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110-6双芯片高密度框架。

背景技术

在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，用引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。

DFN1110-6双芯片小型电子元器件的芯片封装单元型号。该封装单元为矩形，尺寸为1.1mm×1.0mm，每个封装单元内包含两个芯片区域。在矩形的相对的长边分别设有三个管脚，共计6个管脚；两侧的管脚位置相对设置。

在框架上设置更多的芯片安装单元一致是行业内的普遍要求。如图1所示，框架100通常矩形，多个单元分割槽200将框架100分割为多个框架单元101。多个芯片安装单元阵列排布在框架单元101中。在每个框架单元101边缘与芯片安装单元连接处的空间无法被利用。

如图2所示，相邻芯片安装单元300之间设有横向连筋3，用来增强单元块的强度，目前的横向连筋3，多采用半腐蚀的方式，其厚度小于金属层的厚度。当多个芯片安装单元300排布过多，即框架单元101的面积过大时，横向连筋3的强度不能满足大面积排布的要求。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应该当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：针对现有技术存在的目前在相邻芯片安装单元之间的连筋强度不足，不能满足芯片安装单元高密度大面积排布的问题，提供一种DFN1110-6双芯片高密度框架。该框架通过将连筋的一部分设置为厚度加厚的加强筋，用加强筋连接相邻两个芯片安装单元中相对的两个管脚，增加了芯片安装单元之间的连接强度。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种DFN1110-6双芯片高密度框架，包括板状结构的框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，相邻芯片安装单元之间设有横向连筋；所述横向连筋包括凹陷部和加强部，所述加强部的厚度大于所述凹陷部的厚度，所述加强部的一端连接其中一个芯片安装单元中的一个管脚，所述加强部的另一端连接另一个芯片安装单元中的一个管脚。

在横向连筋中设置加强部，通过加强部连接分别两个相邻的芯片封装单元中的相对的管脚，且将加强部的厚度大于凹陷部的厚度，提升了相邻芯片封装单元之间的连接强度。能够提升芯片封装单元布置区域的面积，满足大面积排布的要求。进而提升整个框架中芯片封装单元的密度。

作为本实用新型的优选方案，在所述横向连筋延展方向上，所述加强部的宽度小于加强部两端管脚的宽度。

两个芯片封装单元之间的横向连筋为长条形，延展方向为横向连筋的长度方向。

加强部在芯片封装后，对加强部的中部进行切割分离。通过使用宽度小于管脚宽度的加强部，在满足单元之间连接强度要求的基础上，减少了切割时金属的切割量，减少了切割时发热，进而减少因热量过高引起的管脚分层。

作为本实用新型的优选方案，在所述横向连筋延展方向上，所述加强部连接于加强部两端管脚的中部。