[实用新型]一种集成电路防溢料封装装置有效
| 申请号： | 202022485255.5 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN213093172U | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 郑其木;谢征君 | 申请（专利权）人： | 深圳市微电能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 防溢料 封装 装置 | ||
1.一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于，包括上模和下模，上模、下模可相对盖合，上模、下模盖合后上模和下模之间形成一可容置铝合金散热片和引线框架的容置区，所述下模的一端部设有第一压边辅助机构，所述第一压边辅助机构包括一顶杆，所述顶杆连接有弹性件，所述弹性件可将顶杆向上顶起，所述顶杆具有一顶靠端。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述第一压边辅助机构设于下模的一侧面，所述顶靠端上还设有一顶靠件，所述顶靠件为弹性塑胶材料。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述弹性件为弹簧，所述弹簧设于顶杆的下方，可将顶杆向上顶起。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述上模的一端部设有第二压边辅助机构，所述第二压边辅助机构至少包括第一台阶部和第二台阶部，所述第二台阶部顶面的高度低于第一台阶部顶面的高度；所述第一台阶部的一端与上模连接，第一台阶部的另一端与第二台阶部连接，所述第二台阶部的远离第一台阶部的端部连接有窄边压紧段。
5.根据权利要求4所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述窄边压紧段为塑胶材质。
6.根据权利要求5所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述第二台阶部和窄边压紧段之间还设有第三台阶部，第三台阶部顶面高度低于第二台阶顶面的高度。
7.一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于，包括上模和下模，上模、下模可相对盖合，上模、下模盖合后上模和下模之间形成一可容置铝合金散热片和引线框架的容置区，所述上模的一端部设有第一压边辅助机构，所述第一压边辅助机构包括一顶杆，所述顶杆连接有弹性件，所述弹性件可将顶杆向下顶出，所述顶杆具有一顶靠端。
8.根据权利要求7所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述第一压边辅助机构设于上模的一侧面，所述顶靠端上还设有一顶靠件，所述顶靠件为弹性塑胶材料。
9.根据权利要求7所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述下模的一端部设有第二压边辅助机构，所述第二压边辅助机构至少包括第一台阶部和第二台阶部，所述第二台阶部底面的高度高于第一台阶部底面的高度；所述第一台阶部的一端与下模连接，第一台阶部的另一端与第二台阶部连接，所述第二台阶部的远离第一台阶部的端部连接有窄边压紧段。
10.根据权利要求9所述的一种集成电路防溢料封装装置，其特征在于：所述窄边压紧段为塑胶材质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
