[实用新型]具有高对准精度的晶圆对位识别设备有效
申请号: | 202022493894.6 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN213660355U | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 霍进迁;龚燕飞 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 对准 精度 对位 识别 设备 | ||
1.一种具有高对准精度的晶圆对位识别设备,其特征在于,所述对位识别设备包括:
光敏测距器件,用于通过光学信号的接收和反馈,获取所述晶圆的翘曲分布值;
吸附装置,设置于晶圆下方,所述吸附装置包括多个吸附单元,所述吸附装置根据所述晶圆的翘曲分布值,确定所述晶圆需要补偿的吸附值或吹气值,自所述晶圆底部向所述晶圆给予吸力或吹力,以定量补偿所述晶圆的形变量,使所述晶圆的多个对位图形在同一水平高度上。
2.根据权利要求1所述的具有高对准精度的晶圆对位识别设备,其特征在于:
所述光敏测距器件用于依据所述晶圆的翘曲分布值,获取所述晶圆各个区域所需要改变的形变量;
所述吸附装置基于所述需要改变的形变量,控制相应区域的吸力或吹力,以定量补偿所述晶圆的形变量,使所述晶圆的多个对位图形在同一水平高度上。
3.根据权利要求1所述的具有高对准精度的晶圆对位识别设备,其特征在于:所述吸附装置包括真空吸盘,所述真空吸盘表面具有多个气孔,通过设置所述真空吸盘的气压以及气孔的孔径以调整所述气孔的吸力或吹力,其中,所述吸力的大小与所述气压呈负相关,与所述气孔的孔径呈负相关,所述吹力的大小与所述气压呈正相关,与所述气孔的孔径呈负相关。
4.根据权利要求3所述的具有高对准精度的晶圆对位识别设备,其特征在于:所述真空吸盘包括多个真空腔体,各真空腔体对应设置有一个或多个气孔,且各真空腔体内的气压独立可调,以控制相应区域的吸力或吹力。
5.根据权利要求3或4所述的具有高对准精度的晶圆对位识别设备,其特征在于:所述气孔的形状包括圆孔、弧形孔及环形孔中的一种。
6.根据权利要求1所述的具有高对准精度的晶圆对位识别设备,其特征在于:所述对位识别设备还包括压板部件,设置于所述晶圆上方,用于在所述吸附装置工作前,对所述晶圆施加压力,以使所述晶圆贴附于吸附装置,并在所述吸附装置开始工作后撤除所述压力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造