[实用新型]氮化镓半导体器件封装件

权利要求书

1.氮化镓半导体器件封装件，其特征在于，包括基板、密封材料和氮化镓半导体器件；

所述密封材料将所述氮化镓半导体器件包裹在所述基板上；

所述基板上设置有源极端子、栅极端子和漏极端子；

所述氮化镓半导体器件包括硅衬底、外延层、源极金属、栅极金属和漏极金属；

所述外延层制作在所述硅衬底上，所述源极金属、所述栅极金属和所述漏极金属均位于所述外延层上，所述硅衬底的背面设置有金属层；

所述硅衬底和所述外延层上贯穿地设置有穿硅通孔，所述穿硅通孔内设置有电气互连件，所述电气互连件将所述源极金属与所述金属层电连接，所述金属层与所述源极端子电连接；

所述漏极金属连接有第一桥接铜片，所述第一桥接铜片穿过所述密封材料后与所述漏极端子电连接；

所述栅极金属与所述栅极端子电连接。

2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述栅极金属连接有第二桥接铜片，所述第二桥接铜片穿过所述密封材料连接至所述栅极端子。

3.根据权利要求2所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述第二桥接铜片与所述栅极金属通过焊料焊接的方式或者通过超声键合的方式连接。

4.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述栅极金属通过打线引出。

5.根据权利要求1至4任一项所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述漏极金属占所述氮化镓半导体器件的正面的面积大于所述源极金属占所述氮化镓半导体器件的正面的面积，所述漏极金属占所述氮化镓半导体器件的正面的面积大于所述栅极金属占所述氮化镓半导体器件的正面的面积。

6.根据权利要求1至4任一项所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述第一桥接铜片与所述漏极金属通过焊料焊接的方式或者通过超声键合的方式连接。

7.根据权利要求1至4任一项所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述第一桥接铜片的厚度在200微米至1毫米范围内。

8.根据权利要求1至4任一项所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述基板为铜基板。

9.根据权利要求1至4任一项所述的氮化镓半导体器件封装件，其特征在于：

所述第一桥接铜片包括依次连接的漏极金属连接段、第一折弯段、平行连接段、第二折弯段和端子连接段，所述平行连接段平行且高于所述漏极金属连接段，所述第一折弯段与所述漏极金属连接段之间、所述第一折弯段与所述平行连接段之间、所述第二折弯段与所述平行连接段之间以及所述第二折弯段与所述端子连接段均呈钝角设置。