[实用新型]异质结太阳能电池串有效
申请号: | 202022498312.3 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN213519988U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 许涛;邓士锋 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 | ||
本实用新型提供了一种异质结太阳能电池串,其中所涉及的异质结太阳能电池包括电池片本体、设置于电池片本体受光面一侧的第一透明导电膜层、以及设置于电池片本体背光面一侧的第二透明导电膜层,异质结太阳能电池还包括设置于第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层表面且延伸方向与第一方向垂直的复合副栅,复合副栅包括第一栅线层以及设置于第一栅线层背离电池片本体一侧表面的第二栅线层,第二栅线层与第一栅线层材质不同且覆盖第一栅线层于宽度方向上相对的两侧表面;本实用新型所涉及异质结太阳能电池中,提供了一种不同于传统低温浆料所印制副栅结构的复合副栅,为异质结太阳能电池的集电极制作提供更多选择。
技术领域
本实用新型涉及光伏制造领域,尤其涉及一种异质结太阳能电池串。
背景技术
异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池,其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征,具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。由于异质结太阳能电池的温度劣化系数小,且双面发电,在相同面积条件下,每年的发电量可以比普通多晶硅电池高15~30%,因此具有很大的市场潜力。
图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图,其自受光面一侧朝向背光面一侧依次包括第一集电极51'、第一透明导电膜层41'、第一掺杂非晶层31'、第一本征非晶层21'、硅衬底10'、第二本征非晶层22'、第二掺杂非晶层32'、第二透明导电膜层42'、第二集电极52'。其中所涉及的第一集电极51'与第二集电极52'通常均包括相互连接的主栅与副栅。
现有技术中,受限于低温工艺,在采用丝网板印制第一集电极51'与第二集电极52'时只能采用低温浆料,低温浆料的制作成本高,而且导电性能较高温导电浆料的导电性能差,接触电阻率高,不利于提高异质结太阳能电池的填充因子FF。
有鉴于此,有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述实用新型目的,本实用新型提供了一种异质结太阳能电池串,其具体设计方式如下。
一种异质结太阳能电池串,包括若干沿第一方向串联设置的异质结太阳能电池,所述异质结太阳能电池包括电池片本体、设置于所述电池片本体受光面一侧的第一透明导电膜层、以及设置于所述电池片本体背光面一侧的第二透明导电膜层,所述异质结太阳能电池还包括设置于所述第一透明导电膜层和/或所述第二透明导电膜层表面且延伸方向与所述第一方向垂直的复合副栅,所述复合副栅包括第一栅线层以及设置于所述第一栅线层背离所述电池片本体一侧表面的第二栅线层,所述第二栅线层覆盖所述第一栅线层于宽度方向上相对的两侧表面。
进一步,所述第一栅线层为镍金属层、铜金属层及铝金属层中的一种,所述第二栅线层为银金属层;或,所述第一栅线层为导电碳层,所述第二栅线层为镍金属层。
进一步,所述复合副栅还包括设置于所述第一栅线层朝向所述电池片本体一侧表面且与所述第二栅线层相连的第三栅线层。
进一步,所述第一栅线层为镍金属层、铜金属层及铝金属层中的一种,所述第三栅线层为银金属层;或,所述第一栅线层为导电碳层,所述第三栅线层为镍金属层。
进一步,所述复合副栅的宽度为40-65μm,厚度为12-21μm。
进一步,所述异质结太阳能电池还包括设置于所述第一透明导电膜层和/或所述第二透明导电膜层表面且延伸方向与所述第一方向一致的复合主栅,所述复合主栅包括第四栅线层以及设置于所述第四栅线层背离所述电池片本体一侧表面第五栅线层,所述第五栅线层覆盖所述第四栅线层于宽度方向上相对的两侧表面。
进一步,所述第四栅线层为镍金属层、铜金属层、铝金属层及玻璃粉层中的一种,所述第五栅线层为银金属层;或,所述第四栅线层为导电碳层,所述第五栅线层为镍金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的