[实用新型]自动休眠电路及射频按摩仪有效

专利信息
申请号: 202022503612.6 申请日: 2020-11-03
公开(公告)号: CN213279651U 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 金波;成微;唐国兴;朱寒奇;段羽;冼上轩 申请(专利权)人: 深圳德技创新实业有限公司
主分类号: H04B1/401 分类号: H04B1/401;H04B1/40;A61N1/40;A61N5/00
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 涂年影
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区南湾街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 自动 休眠 电路 射频 按摩
【权利要求书】:

1.一种自动休眠电路,其特征在于,包括电源模块,休眠模块,控制模块;所述休眠模块的输入端电连接所述电源模块的输出端,休眠模块的输出端接后级电路,用于将电源模块的电能传输给后级电路为后级电路供电;所述控制模块电连接所述休眠模块的受控端,用于控制休眠模块导通或断开。

2.根据权利要求1所述的自动休眠电路,其特征在于,所述电源模块包括供电电池,电池连接器和滤波子模块,所述供电电池电连接所述电池连接器的输入端,所述电池连接器的输出端接滤波子模块和所述休眠模块。

3.根据权利要求2所述的自动休眠电路,其特征在于,所述滤波子模块包括第一滤波电容和第二滤波电容,所述第一滤波电容和第二滤波电容的第一端均接地,第二端均接所述休眠模块。

4.根据权利要求3所述的自动休眠电路,其特征在于,所述休眠模块包括P沟道MOS管、三极管、第一分压电阻、第二分压电阻、上拉电阻和下拉电阻,第一分压电阻的第一端和P沟道MOS管的源极接所述电源模块的输出端,P沟道MOS管的漏极接后级电路,P沟道MOS管的栅极接第一分压电阻的第二端和第二分压电阻的第一端,第二分压电阻的第二端接三极管的集电极,三极管的发射极接地,三极管的基极接下拉电阻和上拉电阻的第一端,以及所述控制模块的控制端,所述下拉电阻的第二端接地,上拉电阻的第二端接所述控制模块。

5.根据权利要求4所述的自动休眠电路,其特征在于,所述控制模块为MCU。

6.根据权利要求5所述的自动休眠电路,其特征在于,所述三极管的基极、下拉电阻和上拉电阻的第一端连接所述MCU的MCU_CTR_PWR端脚。

7.根据权利要求6所述的自动休眠电路,其特征在于,所述休眠模块还包括限流电阻,所述限流电阻的第一端接三极管的基极和下拉电阻的第一端,所述限流电阻的第二端接所述上拉电阻的第一端。

8.根据权利要求4所述的自动休眠电路,其特征在于,还包括开关模块,所述开关模块连接所述休眠模块,用于控制休眠模块的导通和断开。

9.根据权利要求8所述的自动休眠电路,其特征在于,所述开关模块包括轻触开关,所述轻触开关电连接所述第二分压电阻的第二端。

10.一种射频按摩仪,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的自动休眠电路。

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