[实用新型]一种源极跟随形式的均衡电路

说明书

一种源极跟随形式的均衡电路，采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源处接出一个电阻R1后连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极后接地；本方案通过NMOS管的gm和C1形成的零点，以及R1，C1和NMOS管的gm形成的极点，以及Av|high和Av|low的不同，达到了均衡的效果，在实现均衡的同时兼顾了共模电平转换的要求。电路简单，面积小，对于衰减不是太大的直流耦合电路尤其适用。

技术领域

本实用新型涉及均衡电路领域，特别涉及一种源极跟随形式的均衡电路。

背景技术

现有的均衡电路多采用两种结构形式，一种是无源结构，另一种是共源结构，无源结构的电路如图1，可以看出，无源结构不能提供增益，对于幅度比较小的信号，效果欠佳；共源结构的电路如图2，可以看出，公园结构的电路比较复杂，并且，共源结构的电路对输入的共模电平有一定的要求，如图3是现有共源结构电路的波形图，其中我们根据公式可以得到：而由于因此可以得到，因此我们可以知道，现有技术通过选取不同的R_S，C_S，和nmos管的gm达到均衡的效果，对于输入的共模电平有一定的要求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：提供了一种源极跟随形式的均衡电路，利用NMOS管或PMOS管的特性，设计出了一个特殊的电路，解决了上述问题。

本实用新型采用的技术方案如下：

方案一：一种源极跟随形式的均衡电路，采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极还通过一个电阻R1后接地；

右电路：从第二电源连接到NMOS管NM2的D极连接，NMOS管NM2的G极通过电容C3连接到NMOS管NM2的S极，所述NMOS管NM2的S极通过电容C4后接地，所述NMOS管NM2的S极还通过一个电阻R2后接地；所述NMOS管NM1和NMOS管NM2的PN连接后接地；

所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，NMOS管NM1和NMOS管NM2相同；以NMOS管NM1的G极为高电平输入Vin+，以NMOS管NM1的S极为高电平输出Vo+；以NMOS管NM2的G极为低电平输入Vin-，以NMOS管NM2的S极为低电平输出Vo-。

方案二：一种源极跟随形式的均衡电路，所述采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源处接出一个电阻R1后连接到PMOS管PM1的D极连接，PMOS管PM1的G极通过电容C1连接到PMOS管PM1的D极，所述PMOS管PM1的S极接地，所述PMOS管PM1的D极还通过一个电容C2后接地；

右电路为：从第二电源处接出一个电阻R2后连接到PMOS管PM2的D极连接，PMOS管PM2的G极通过电容C3连接到PMOS管PM1的D极，所述PMOS管PM1的S极接地，所述PMOS管PM1的D极还通过一个电容C4后接地；所述PMOS管PM1和PMOS管PM2的PN连接后接到第三电源；

所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，PMOS管PM1和PMOS管PM2相同；以PMOS管PM1的G极为高电平输入Vin+，以PMOS管PM1的D极为高电平输出Vo+；以PMOS管PM2的G极为低电平输入Vin-，以PMOS管PM2的D极为低电平输出Vo-。