[实用新型]一种垂直结构深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 202022524137.0 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN215184030U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 崔志勇;尉尊康;李勇强;郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;王雪 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/24;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 深紫 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直结构深紫外发光二极管，其包括自下而上设置的N-AlGaN层(104)、多量子阱层(105)、P-AlGaN层(106)和P-GaN层(107)，其特征在于，所述P-GaN层(107)的部分区域的全部或一部分被去除掉并在所述P-GaN层(107)的上表面上沉积有一层反射层(201)，所述反射层(201)的上表面上沉积有一层粘合金属层(202)，所述粘合金属层(202)的上表面上结合有一层导电基板层(301)，所述N-AlGaN层(104)的部分下表面上制作有电极金属层(401)且所述电极金属层(401)的位置与所述P-GaN层(107)的所述部分区域相对应。
2.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外发光二极管，其特征在于，所述导电基板层(301)由金属或硅制成。
3.根据权利要求2所述的垂直结构深紫外发光二极管，其特征在于，所述述粘合金属层(202)与所述导电基板层(301)通过键合或电镀结合在一起。
4.根据权利要求3所述的垂直结构深紫外发光二极管，其特征在于，所述N-AlGaN层(104)的未制作所述电极金属层(401)的下表面进行了粗糙化处理。
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