[实用新型]半导体封装结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体封装结构，力量传感器芯片的顶面露出于塑封层，减小了半导体封装结构的厚度，并且，力传导压块直接贴附于力量传感器芯片的顶面，力量传感器芯片可以直接感知力传导压块汇聚的压力，力量感知灵敏度高。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)技术是一种以微小化机电整合结构为出发点的设计。目前常见的微机电技术主要应用于微传感器(Microsensor)、微制动器(Micro actuator)与微结构(Micro structure)组件等三大领域，其中微传感器可将外界环境变化(如力量、压力、声音、加速度等)转换成电信号(例如电压或电流等)，从而实现环境感测功能，如力量感测、压力感测、声音感测、加速度感测等。由于微传感器可利用半导体制程技术制造且可与集成电路整合，因此具有较佳的竞争力。

力量传感器即为微传感器的一例，其可检测是否产生按压动作及/或按压的力度。已知的力量传感器芯片通常包含具有参考电容的第一芯片和具有检测电容的第二芯片，两片芯片通过键合工艺键合在一起。其中，力量传感器芯片所产生的检测信号通过引线输出至一专用集成电路芯片(ASIC芯片)中进行处理，通过比较检测电容和参考电容的差值，从而实现感测施加在第二芯片上的外力的大小。

力量传感器芯片需要精确地感知外部的接触压力，因此对灵敏度的要求较高，但是目前力量传感器芯片的封装方式对力量传感器的灵敏度具有限制。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，以提高现有的力量传感器的灵敏度。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种半导体封装结构，包括：

基板；

ASIC芯片，贴附于所述基板的顶面；

力量传感器芯片，贴附于所述ASIC芯片的顶面；

塑封层，覆盖所述基板并至少包裹所述力量传感器芯片及所述ASIC芯片，所述力量传感器芯片的顶面露出于所述塑封层；

力传导压块，贴附于所述力量传感器芯片的顶面。

可选的，所述力传导压块通过粘接层贴附于所述力量传感器芯片的顶面。

可选的，所述粘接层为热固胶层，所述热固胶层的固化温度为60摄氏度～100摄氏度。

可选的，所述粘接层为键合层。

可选的，所述力传导压块的底面的外边缘位于所述力量传感器芯片的顶面的外边缘内。

可选的，所述力传导压块为正方体、长方体或圆柱体。

可选的，所述力传导压块具有第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述第二部分上，所述第一部分的顶面的面积大于所述第二部分的顶面的面积，所述第二部分的底面的面积小于所述力量传感器芯片的顶面的面积。

可选的，所述第一部分及所述第二部分均选自正方体、长方体或圆柱体中的任意一种。

可选的，所述力量传感器芯片通过第一引线与所述ASIC芯片电性连接，所述ASIC芯片通过第二引线与所述基板电性连接。

可选的，所述塑封层还包裹所述第一引线及所述第二引线。

可选的，所述ASIC芯片的底面通过第一粘附层贴附于所述基板的顶面，所述力量传感器芯片的底面通过第二粘附层贴附于所述ASIC芯片的顶面。

可选的，所述第一粘附层和/或所述第二粘附层为装片胶层或装片膜。

可选的，所述力量传感器芯片的顶面与所述塑封层的顶面齐平。