[实用新型]MEMS传感器和电子设备有效

专利信息
申请号: 202022531977.X 申请日: 2020-11-05
公开(公告)号: CN213679813U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 徐海胜 申请(专利权)人: 青岛歌尔智能传感器有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 梁馨怡
地址: 266100 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: mems 传感器 电子设备
【说明书】:

本实用新型公开一种MEMS传感器和应用该MEMS传感器的电子设备。其中,MEMS传感器包括外部封装结构和设于外部封装结构内的MEMS芯片,外部封装结构包括电路板,电路板开设有供外部声波传入的入声孔,外部封装结构还包括第一阻挡层和第二阻挡层,第一阻挡层和第二阻挡层沿入声孔的入声方向依次间隔设置,第一阻挡层开设有第一透声孔,第二阻挡层开设有第二透声孔,第一透声孔和第二透声孔错位设置。本实用新型的技术方案可降低MEMS传感器中MEMS芯片的振膜破裂的几率,降低产品的报废可能。

技术领域

本实用新型涉及传感器技术领域,特别涉及一种MEMS传感器和应用该MEMS传感器的电子设备。

背景技术

传感器作为检测器件,现已普遍应用在手机、笔记本电脑、平板电脑以及穿戴设备之中。近年来,随着科技的快速发展,微机电系统(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)应运而生,MEMS传感器便是其中之一。现有的MEMS传感器,对外界吹气较为敏感。当吹气气压偏高时,气流冲击MEMS芯片的振膜,容易导致振膜破裂,从而致使产品报废。

发明内容

本实用新型的主要目的是提供一种MEMS传感器和应用该MEMS传感器的电子设备,旨在降低MEMS传感器中MEMS芯片的振膜破裂的几率,降低产品的报废可能。

本实用新型的一实施例提出一种MEMS传感器,该MEMS传感器包括外部封装结构和设于所述外部封装结构内的MEMS芯片,所述外部封装结构包括电路板,所述电路板开设有供外部声波传入的入声孔,所述外部封装结构还包括第一阻挡层和第二阻挡层,所述第一阻挡层和所述第二阻挡层沿所述入声孔的入声方向依次间隔设置,所述第一阻挡层开设有第一透声孔,所述第二阻挡层开设有第二透声孔,所述第一透声孔和所述第二透声孔错位设置。

在本实用新型一实施例中,所述第一阻挡层设于所述入声孔内;

且/或,所述第二阻挡层设于所述入声孔内。

在本实用新型一实施例中,所述第一阻挡层与所述电路板为一体结构;

且/或,所述第二阻挡层与所述电路板为一体结构。

在本实用新型一实施例中,所述第一透声孔设有若干,若干所述第一透声孔间隔设置;所述第二透声孔设有若干,若干所述第二透声孔间隔设置;

定义若干所述第一透声孔沿所述入声孔的轴向在所述第二阻挡层上对应的区域为直吹区域,则每一所述第二透声孔均位于所述直吹区域之外。

在本实用新型一实施例中,若干所述第一透声孔沿所述第一阻挡层的外缘依次间隔设置;

定义若干所述第二透声孔沿所述入声孔的轴向在所述第一阻挡层上对应的区域为阻挡区域,若干所述第一透声孔围设在所述阻挡区域的四周。

在本实用新型一实施例中,若干所述第二透声孔沿所述第二阻挡层的外缘依次间隔设置,若干所述第二透声孔围设在所述直吹区域的四周。

在本实用新型一实施例中,定义所述第一阻挡层的厚度为D1,则满足条件5μm≤D1≤10μm。

在本实用新型一实施例中,定义所述第二阻挡层的厚度为D2,则满足条件5μm≤D2≤10μm。

在本实用新型一实施例中,定义所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间的距离为L,则满足条件5μm≤L≤15μm。

本实用新型的一实施例还提出一种电子设备,该电子设备包括MEMS传感器,该MEMS传感器包括外部封装结构和设于所述外部封装结构内的MEMS芯片,所述外部封装结构包括电路板,所述电路板开设有供外部声波传入的入声孔,所述外部封装结构还包括第一阻挡层和第二阻挡层,所述第一阻挡层和所述第二阻挡层沿所述入声孔的入声方向依次间隔设置,所述第一阻挡层开设有第一透声孔,所述第二阻挡层开设有第二透声孔,所述第一透声孔和所述第二透声孔错位设置。

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