[实用新型]一种对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置有效
申请号: | 202022532744.1 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN213150736U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 梁猛;石洋 | 申请(专利权)人: | 技感半导体设备(南通)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/60 |
代理公司: | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人: | 张坚 |
地址: | 226000 江苏省南通市开发区苏通科技产业园江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 对应 基板涨缩 自动 位置 补偿 分布 装置 | ||
1.一种对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置,包括底板(100)、设于所述底板(100)上的用于放置基板(900)的植球台(200)、设于所述植球台(200)上方的位移机构(800),设于所述位移机构(800)上的印刷头(600)、植球头(400)与对位机构(300),所述印刷头(600)包括能够对所述基板(900)上胶的印刷治具(630),所述植球头(400)包括能够对所述基板(900)植球的植球治具(430),所述对位机构(300)能够对所述基板(900)进行定位,其特征在于:所述对位机构(300)能够对所述基板(900)上植球孔位置分布相同的多个区域(910)分别进行定位,所述印刷治具(630)底部具有与所述区域(910)植球孔位置分布相同的胶针(631),所述植球治具(430)底部具有与所述区域(910)植球孔位置分布相同的第一真空吸孔(440)。
2.按照权利要求1所述的对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置,其特征在于:所述位移机构(800)包括分置于所述植球台(200)上方两侧的两个纵向导轨(810),所述两个纵向导轨(810)上横跨设有第一活动梁(820)与第二活动梁(830),所述植球头(400)设于所述第一活动梁(820)上,所述印刷头(600)和对位机构(300)设于所述第二活动梁(830)上,所述第一活动梁(820)、第二活动梁(830)能够在所述纵向导轨(810)的驱动下进行沿所述纵向导轨(810)进行平移。
3.按照权利要求2所述的对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置,其特征在于:所述植球台(200)包括横向导轨(210)、设于所述横向导轨(210)上的滑台板(220)和连接所述滑台板(220)的放置架(240)。
4.按照权利要求2所述的对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置,其特征在于:所述纵向导轨(810)靠近所述第一活动梁(820)的一端设有铺球机构(500),所述铺球机构(500)包括铺球平台(510)、设于所述铺球平台(510)上的锡球盒(520)和用于驱动所述锡球盒(520)沿所述铺球平台(510)滑动的皮带驱动机构(540),所述锡球盒(520)的底面为敞口,所述铺球平台(510)上设有和所述基板(900)植球孔分布位置对应的第二真空吸孔(512)。
5.按照权利要求2所述的对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置,其特征在于:所述纵向导轨(810)靠近所述第二活动梁(830)的一端设有供胶槽(700),所述印刷治具(630)能够运行至所述供胶槽(700)的正上方。
6.按照权利要求3所述的对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置,其特征在于:所述放置架(240)包括活动侧板(241)和固定侧板(242),所述活动侧板(241)和固定侧板(242)的内表面上设有用于卡入所述基板(900)的卡槽(243),还包括设于所述活动侧板(241)和固定侧板(242)间的顶升气缸(250)和连接所述顶升气缸(250)的真空吸板(260)。
7.按照权利要求6所述的对应基板涨缩的自动位置补偿分布植球装置,其特征在于:所述放置架(240)与所述滑台板(220)之间通过旋转座(230)连接,所述滑台板(220)上设有丝杆导轨(221),所述丝杆导轨(221)包括丝杠、与所述丝杠啮合的螺母块(222),所述螺母块(222)与所述放置架(240)转动连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造