[实用新型]掉电保护装置

权利要求书

1.一种掉电保护装置，其特征在于，所述掉电保护装置包括主控制器、掉电检测单元、储能单元、开关单元和电池单元；

所述储能单元的输入端与主电源电连接，所述储能单元的输出端与所述主控制器的电源输入端电连接；

所述掉电检测单元的检测端与所述主电源电连接，所述掉电检测单元的信号发送端与所述主控制器的信号接收端连接，当所述主电源的电压低于第一预设电压时，所述掉电检测单元向所述主控制器发送掉电保护信号；

所述电池单元包括副电池，所述副电池的正极与所述开关单元的输入端电连接，所述副电池的负极接地；

所述开关单元的输出端与所述储能单元的输入端电连接，所述开关单元的控制信号接收端与所述主控制器的控制信号发送端电连接，当所述主控制器接收到所述掉电保护信号时，所述主控制器发送控制信号使所述开关单元导通，所述副电池通过所述开关单元进行供电。

2.如权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，所述掉电保护装置还包括整流电路，所述整流电路的输入端与所述主电源电连接，所述整流电路的输出端与所述储能单元的输入端和所述掉电检测单元的检测端电连接，所述整流电路用于当所述主电源为交流电时将交流电转换成第二预设电压的直流电。

3.如权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，所述掉电检测单元包括串联的第一负载电阻和第二负载电阻，所述第一负载电阻的一端与所述检测端电连接，另一端与所述第二负载电阻的一端和所述信号发送端电连接，所述第二负载电阻的另一端接地。

4.如权利要求3所述的掉电保护装置，其特征在于，所述第一负载电阻和所述第二负载电阻的电阻值相同，所述电阻值大于0.008Ω且小于0.012Ω。

5.如权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，所述储能单元包括若干并联的电容，每个所述电容的正极与所述储能单元的输入端和所述储能单元的输出端电连接，负极接地。

6.如权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，所述主控制器通过所述开关单元控制副电池的放电，当所述主控制器关机后，所述主控制器停止发送所述控制信号，所述开关单元自动断开。

7.如权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，所述掉电保护装置还包括电池电量检测电路，所述电池电量检测电路的一端与所述开关单元的输入端和所述主控制器的第一电压检测引脚电连接，所述电池电量检测电路的另一端与所述副电池的正极和所述主控制器的第二电压检测引脚电连接，所述电池电量检测电路用于将所述副电池的电压值发送给所述主控制器。

8.如权利要求7所述的掉电保护装置，其特征在于，所述副电池为蓄电池，所述开关单元的输出端与所述主电源电连接，当所述副电池的电压低于第三预设电压且所述主电源电压高于第一预设电压时，所述主控制器将所述控制信号发送端配置为PWM模式，使所述副电池进行充电；所述第三预设电压低于所述第一预设电压。

9.如权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，所述开关单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、NPN型三极管、第三负载电阻、第四负载电阻和第五负载电阻；

所述第二PMOS晶体管的漏极与所述开关单元的输出端电连接，所述第二PMOS晶体管的源极与所述第一PMOS晶体管的源极电连接；

所述第一PMOS晶体管的漏极与所述开关单元的输入端电连接；

所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第二PMOS晶体管的栅极与所述NPN型三极管的集电极电连接；

所述第三负载电阻的一端与所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第二PMOS晶体管的栅极电连接，另一端与所述第一PMOS晶体管的源极和所述第二PMOS晶体管的源极电连接；

所述NPN型三极管的发射极接地；

所述NPN型三极管的基极与所述第四负载电阻的一端电连接；

所述第四负载电阻的另一端与所述第五负载电阻的一端和所述控制信号接收端电连接；

所述第五负载电阻的另一端接地。

10.如权利要求1所述的掉电保护装置，其特征在于，所述主电源和所述掉电检测单元通过二极管与所述储能单元和所述开关单元电连接；

所述主电源和所述掉电检测单元的检测端与所述二极管的正极电连接，所述储能单元的输入端和所述开关单元的输出端与所述二极管的负极电连接。