[实用新型]功率半导体器件

说明书

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本实用新型提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件。

背景技术

通常情况下，MOSFET器件作为开关器件在半导体电路中被广泛运用。作为开关器件，对MOSFET器件的基本要求是，在MOSFET开启状态下，器件的导通电阻要足够低，在MOSFET关断状态下，器件能够阻断高压，器件的漏电流也要足够小。

然而，在锂电池保护、热插拔等应用场合下，对MOSFET器件的可靠性又提出了更高的要求，具体而言，要求MOSFET能在较长的时间范围内缓慢导通，MOSFET能承受较大的电流，即要求MOSFET具有较宽的安全工作区（SOA，Safety Operation Area）。

综上所述，在某些应用情况下，器件导通时，除了要求其具有较低的导通电阻之外，还要求其具有较宽的安全工作区以提高MOSFET器件工作时的可靠性。

因此，如何提供一种高可靠性的MOSFET器件成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本实用新型提供了一种功率半导体器件，解决相关技术中存在的可靠性低的问题。

作为本实用新型的一个方面，提供一种功率半导体器件，所述功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，所述终端区环绕所述元胞区设置，其中，所述功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，所述第一MOSFET器件的源极与所述第二MOSFET器件的源极连接后作为所述功率半导体器件的源极，所述第一MOSFET器件的漏极和所述第二MOSFET器件的漏极连接后作为所述功率半导体器件的漏极，所述第一MOSFET器件的栅极作为所述功率半导体器件的第一栅极，所述第二MOSFET器件的栅极作为所述功率半导体器件的第二栅极，位于所述元胞区内的所述第一MOSFET器件的元胞的数量大于所述第二MOSFET器件的元胞的数量。

进一步地，位于所述元胞区内的所述第一MOSFET器件的元胞与所述第二MOSFET器件的元胞交叉设置。

进一步地，位于所述元胞区内的所述第二MOSFET器件的元胞的数量与所述第一MOSFET器件的元胞的数量的比例为1：N，其中N的取值范围为5~100。

进一步地，位于所述元胞区内的所述第一MOSFET器件的栅极引线连接所述第一MOSFET器件的栅极焊盘，位于所述元胞区内的所述第二MOSFET器件的栅极引线连接所述第二MOSFET器件的栅极焊盘。

本实用新型提供的功率半导体器件，既能实现器件工作在线性区实现低导通电阻的需要，又能实现器件工作在饱和区时实现宽安全工作区的需求。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。

图1为本实用新型提供的功率半导体器件的电路原理图。

图2为本实用新型提供的功率半导体器件的版图示意图。

图3为本实用新型提供的第一MOSFET器件M1与第二MOSFET器件M2的热不稳定性曲线图。