[实用新型]基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器有效
| 申请号： | 202022544494.3 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN213877590U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王子欧;巫超;张文海;张一平 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/20;G11C16/34;G11C29/44 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 元件 蕴含 逻辑 非易失性存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器，其特征在于：包括
一选通管；
用于存储写入时的数据的第一忆阻器；
用于辅助判断第一忆阻器是否写入正确的第二忆阻器；
一定值电阻；
所述选通管的源极电性连接到DL端，所述选通管的栅极电性连接到WL端，所述选通管的漏极分别电性连接到第一忆阻器的负极、第二忆阻器的负极和定值电阻的一端，所述第一忆阻器的正极电性连接到BL端，所述第二忆阻器的正极电性连接到CL端，所述定值电阻的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器，其特征在于：所述选通管选用NMOS选通管。
3.根据权利要求1所述的基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器，其特征在于：所述第一忆阻器和第二忆阻器构成蕴含变量，与定值电阻一起构成蕴含逻辑判断。
4.根据权利要求1所述的基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器，其特征在于：当需要读取非易失性存储器输出节点电压时，将BL端接地，CL端接Vread，使得第二忆阻器与定值电阻构成并联关系后再与第一忆阻器串联。
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