[实用新型]阵列基板、显示面板与显示装置有效

专利信息
申请号: 202022568529.7 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN213210672U 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 乐发垫;邹振游;席文星;李增荣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G09F9/30;H01L27/32
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示 面板 显示装置
【说明书】:

本公开提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域。该阵列基板包括:基板、硅岛、导电缓冲层、像素电极层与源漏电极层,硅岛设于所述基板的一侧;导电缓冲层设于所述硅岛背离所述基板的一侧,导电缓冲层包括间隔设置的第一子导电缓冲层与第二子导电缓冲层;像素电极层与所述硅岛设于所述基板的同一侧;源漏电极层包括第一电极与第二电极,所述第一电极设于所述第一子导电缓冲层背离所述基板的一侧,并部分覆盖所述像素电极层;所述第二电极设于所述第二子导电缓冲层背离所述基板的一侧。本公开提供的阵列基板,能够提升产品的开态电流。

技术领域

本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板、显示面板与显示装置。

背景技术

液晶显示器发展迅速,已经成为主流平板显示器。液晶显示器发展出扭转向列(Twisted Nematic,TN)型、高级超维场开关(Adwanced Dimens1n Switch,ADS)型、高开口率且高级超维场开关(High-Adwanced Dimens1n Switch,HADS)型和平面内开关(In-PlaneSwitch,IPS)型等几种类型。其中,HADS的设计模式因其可实现高开口率,高透过率,高PPI,广视角而被广泛应用用于目前液晶显示产品开发中。

目前,为实现产品窄边框模式,现有的产品都趋向于GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)架构设计,因HADS暗态下的开态电流(Dark Ion)偏低,易出现GOA低温启动启动异常,从而造成画面点灯异常(AD)等不良,影响产品的良率。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种的阵列基板、显示面板与显示装置,能够提升产品的开态电流。

根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板,该阵列基板包括:

基板;

硅岛,设于所述基板的一侧;

导电缓冲层,设于所述硅岛背离所述基板的一侧,且包括间隔设置的第一子导电缓冲层与第二子导电缓冲层;

像素电极层,与所述硅岛设于所述基板的同一侧;

源漏电极层,包括第一电极与第二电极,所述第一电极设于所述第一子导电缓冲层背离所述基板的一侧,并部分覆盖所述像素电极层;所述第二电极设于所述第二子导电缓冲层背离所述基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中,所述导电缓冲层设于所述硅岛的表面上。

在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:

栅极,设于所述基板的一侧;

栅绝缘层,设于所述基板的一侧并覆盖所述栅极;

其中,所述硅岛设于所述栅绝缘层背离所述栅极的一侧,所述像素电极层设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中,所述导电缓冲层在所述基板上的正投影位于所述源漏电极层在所述基板上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:

栅绝缘层,设于所述硅岛背离所述基板的一侧;

栅极,设于所述栅绝缘层背离所述硅岛的一侧;

其中,所述像素电极层设于所述栅绝缘层背离所述基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中,所述第一子导电缓冲层与所述第二子导电缓冲层位于所述栅绝缘层的两侧。

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