[实用新型]电源MOS开关电路、装置及电子设备有效
申请号: | 202022571737.2 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN213186071U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 黄卫员 | 申请(专利权)人: | TCL通力电子(惠州)有限公司 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H03K17/081 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 宋朝政 |
地址: | 516006 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 mos 开关电路 装置 电子设备 | ||
本实用新型涉及半导体集成电路技术领域,公开了一种电源MOS开关电路、装置及电子设备。所述电路包括:二级MOS开关模块在接收到第二开关控制信号端输出的高电平电信号时,导通电源输入端与过流保护模块之间的通路,以使过流保护模块存储电源输入端输入的充电电能;一级MOS开关模块在过流保护模块的当前存储电压等于电源输入端的供电电压时,接收第一开关控制信号端输出的高电平电信号,并根据高电平电信号导通电源输入端与电源输出端之间的通路,以进行电能输出。相较于现有技术增设了二级MOS开关模块与过流保护模块,减缓了MOS管开通过程中承受的冲击电流,防止MOS管发热烧毁,提升电源开关的安全性。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路技术领域,尤其涉及一种电源MOS开关电路、装置及电子设备。
背景技术
现有技术中,将PMOS管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)应用在电源开关电路中,但量产产品的电源MOS管被烧坏的案例时有出现。其原因是,电源开关MOS管的输出端有较大的容性负载,造成MOS管开始导通的瞬间,电压输出端对后端的电容充电,由于MOS管的内阻很小,所以瞬间的电流很大,但是此时MOS管管并没有完全导通。导致瞬间功率很大,从而发热,当发热温度超过MOS管的结温,MOS管就会被烧坏。
现有技术中,为防止PMOS管被烧坏,往往选择规格较高的MOS管,例如,选择额定电流比实际工作条件下的工作电流大得多的MOS管。但这种设置方式,避免烧毁的能力有限,并且增加了器件成本。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种电源MOS开关电路、装置及电子设备,旨在解决现有技术中电源开关的MOS管容易烧毁的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种电源MOS开关电路,所述电源MOS开关电路包括:一级MOS开关模块、二级MOS开关模块及过流保护模块;其中,所述一级MOS开关模块的输入端与电源输入端连接,所述一级MOS开关模块的受控端与第一开关控制信号端连接,所述一级MOS开关模块的输出端与二级MOS开关模块的输出端连接,所述二级MOS开关模块的输入端与电源输入端连接,所述二级MOS开关模块的受控端与第二开关控制信号端连接,所述二级MOS开关模块的输出端还和过流保护模块的输入端连接,所述过流保护模块的输入端和电源输出端VOUT连接;
所述二级MOS开关模块,用于在接收到第二开关控制信号端输出的高电平电信号时,导通所述电源输入端与过流保护模块之间的通路,以使所述过流保护模块存储所述电源输入端输入的充电电能;
所述一级MOS开关模块,用于在所述过流保护模块的当前存储电压等于电源输入端的供电电压时,接收第一开关控制信号端输出的高电平电信号,并根据所述高电平电信号导通所述电源输入端与电源输出端之间的通路,以进行电能输出。
可选地,所述二级MOS开关模块包括第二MOS开关单元及第二信号转换单元;其中,
所述第二信号转换单元的受控端与第二开关控制信号端连接,所述第二信号转换单元的控制端与第二MOS开关单元的受控端连接,所述第二MOS开关单元的一端接地,所述第二MOS开关单元的输入端与电源输入端连接,所述第二MOS开关单元的输出端与过流保护模块的输入端连接;
所述第二信号转换单元,用于在接收到第二开关控制信号端输出的高电平电信号时,导通所述第二MOS开关单元与接地端之间的通路;
所述第二MOS开关单元,用于在所述第二信号转换单元导通时,导通电源输入端与过流保护模块之间的通路,以使所述过流保护模块存储所述电源输入端输入的充电电能。
可选地,所述二级MOS开关模块还包括限流单元,所述限流单元的一端与第二MOS开关单元的输出端连接,所述限流单元的另一端与过流保护模块的输入端连接。
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