[实用新型]一种倒装芯片键合装置的真空吸取机构有效
申请号: | 202022572909.8 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN213691985U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 高伟峰;杨健 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 于浩江 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒装 芯片 装置 真空 吸取 机构 | ||
本实用新型涉及一种倒装芯片键合装置的真空吸取机构,包含芯片拾取装置,芯片拾取装置中设置有真空管路,芯片拾取装置上设置有吸取平台,吸取平台的表面上设置有吸取孔和辅助吸取槽,吸取孔与芯片拾取装置中的真空管路连通,辅助吸取槽由吸取孔处向吸取平台的四角延伸;本方案在吸取平台的接触面采用十字开槽设计,使芯片在拾取时,提高真空在芯片上的作用面积,可以分散真空解决由于真空集中导致的芯片部分区域凹陷开裂问题;并对吸取平台四边进行到圆角设计,减小在装配过程中的应力集中,减少产品受应力冲击导致的开裂问题,有效的去除机械加工过程中直角设计造成的毛刺问题,提高了装置强度,防止掉落后造成的直角边损坏问题。
技术领域
本实用新型涉及一种倒装芯片键合装置的真空吸取机构,属于倒装芯片封装工具技术领域。
背景技术
倒装芯片制程工艺中,键合装置从倒装机构拾取芯片时采用真空吸取方式,原来的吸取机构采用中间单孔设计,导致真空作用在芯片上的面积较小,容易造成吸取不稳,拾取失败问题;作业薄芯片时,真空集中作用在芯片中间区域,容易造成芯片开裂或芯片中间部分凹陷,在助焊剂沾取时,中间部分接触不到助焊剂,导致虚焊问题发生。
并且现有的拾取机构四边之前采用直角设计,直角设计应力集中,在芯片拾取、沾取助焊剂、贴装的过程中,拾取机构会带着芯片接触到不同部件,部件与芯片和拾取机构之间相互产生作用力,其中芯片最为脆弱,由于应力集中会导致芯片在装配过程中出现开裂缺角,由于拾取机构是机械加工,在加工过程中容易产生毛刺等异常,会进一步影响产品品质。
实用新型内容
本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种倒装芯片键合装置的真空吸取机构。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种倒装芯片键合装置的真空吸取机构,包含芯片拾取装置,芯片拾取装置中设置有真空管路,芯片拾取装置上设置有吸取平台,吸取平台的表面上设置有吸取孔和辅助吸取槽,吸取孔与芯片拾取装置中的真空管路连通,辅助吸取槽由吸取孔处向吸取平台的四角延伸。
优选的,所述吸取平台为矩形结构,矩形结构的四周倒圆角。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型方案的倒装芯片键合装置的真空吸取机构,在吸取平台的接触面采用十字开槽设计,使芯片在拾取时,提高真空在芯片上的作用面积,让芯片和部件更好的贴合,可以分散真空解决由于真空集中导致的芯片部分区域凹陷开裂问题;并对吸取平台四边进行到圆角设计,有效的减小在装配过程中的应力集中,减少产品受应力冲击导致的开裂问题,倒圆角设计还可以有效的去除机械加工过程中直角设计造成的毛刺问题,提高了装置强度,防止掉落后造成的直角边损坏问题。
附图说明
下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明:
附图1为本实用新型所述的一种倒装芯片键合装置的真空吸取机构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
如图1所示,本实用新型所述的一种倒装芯片键合装置的真空吸取机构,包含芯片拾取装置1,芯片拾取装置1中设置有真空管路,芯片拾取装置1上设置有吸取平台2,吸取平台2为矩形结构,矩形结构的四周倒圆角;所述吸取平台2的表面上设置有吸取孔3和辅助吸取槽4,吸取孔3与芯片拾取装置1中的真空管路连通,辅助吸取槽4由吸取孔3处向吸取平台2的四角延伸。
以上仅是本实用新型的具体应用范例,对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案,均落在本实用新型权利保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造