[实用新型]一种薄芯片的吸取平台顶出装置

说明书

本实用新型涉及一种薄芯片的吸取平台顶出装置，包含底座，底座上设置有三段式顶出组件，三段式顶出组件的四周设置有直列吸附槽，三段式顶出组件的四角设置有转角吸附槽，直列吸附槽和转角吸附槽设置在底座的上表面，直列吸附槽和转角吸附槽中均设置有真空吸附孔；本方案优化设计了底座上的吸附结构，通过设置直列吸附槽和转角吸附槽来增加底座吸附面积，可以降低芯片与膜的接触面积，在顶出时减小芯片与膜的粘力,更加有利于芯片与膜的剥离；并在每一段顶出部件上均设置了预分离凹槽，在顶出过程中，开槽区域的承载膜与芯片预分离，减少接触面积，便于上方的取片装置将芯片吸走。

技术领域

本实用新型涉及一种薄芯片的吸取平台顶出装置，属于半导体加工设备技术领域。

背景技术

芯片在加工之前，需要先将承载膜分离，现有的分离装置大多都为三段式顶出机构，但由于底座吸附设计的不好，并且顶出面积大，顶出时承载膜容易移动导致吸片失败；并且在第三段顶出时，承载膜粘力有时大于吸力，会造成芯片损坏。

实用新型内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种薄芯片的吸取平台顶出装置。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种薄芯片的吸取平台顶出装置，包含底座，底座上设置有三段式顶出组件，三段式顶出组件的四周设置有直列吸附槽，三段式顶出组件的四角设置有转角吸附槽，直列吸附槽和转角吸附槽设置在底座的上表面，直列吸附槽和转角吸附槽中均设置有真空吸附孔。

优选的，所述直列吸附槽由纵横交错的直线型槽结构组成。

优选的，所述转角吸附槽成L形，L形的转角吸附槽的开口朝向底座的外圈。

优选的，所述三段式顶出组件的每一段顶出部件上均设置有预分离凹槽。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本方案优化设计了底座上的吸附结构，通过设置直列吸附槽和转角吸附槽来增加底座吸附面积，可以降低芯片与膜的接触面积，在顶出时减小芯片与膜的粘力,更加有利于芯片与膜的剥离；并在每一段顶出部件上均设置了预分离凹槽，在顶出过程中，开槽区域的承载膜与芯片预分离，减少接触面积，便于上方的取片装置将芯片吸走。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

附图1为本实用新型所述的一种薄芯片的吸取平台顶出装置的示意图。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

如图1所示，本实用新型所述的一种薄芯片的吸取平台顶出装置，包含底座1，底座1上设置有矩形的三段式顶出组件2，三段式顶出组件2的四周设置有直列吸附槽3，直列吸附槽3由纵横交错的直线型槽结构组成；三段式顶出组件2的四角设置有转角吸附槽4，转角吸附槽4成L形，L形的转角吸附槽4的开口朝向底座1的外圈，L形的两边分别与矩形的三段式顶出组件2的两侧平行，做到对拐角区域最大的吸力，以固定承载膜。

所述直列吸附槽3和转角吸附槽4设置在底座1的上表面，通过开槽的形式替代传统的真空孔吸附形式，增加吸附面积；直列吸附槽3和转角吸附槽4中均设置有真空吸附孔5，为槽内提供真空负压。

所述三段式顶出组件2的每一段顶出部件上均设置有预分离凹槽6，预分离凹槽6也连通真空吸附孔，为凹槽提供负压，在顶出过程中，将顶出部位的芯片与承载膜预分离。

以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。